2025-02-23T00:07:11-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-79968%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T00:07:11-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-79968%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T00:07:11-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T00:07:11-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS

Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS

Методами математического моделирования, с использованием программного комплекса SPURT.CRIS, сгенерированы и исследованы профили залегания имплантированных ионов в зависимости от угла падения α ионов при облучении поверхности модельной наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ . Энергия падающих и...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Павленко, В.И., Слепцов, С.Н., Ферлий, Л.А., Чалый, С.О.
Format: Article
Language:Russian
Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2014
Series:Вопросы атомной науки и техники
Subjects:
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79968
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Методами математического моделирования, с использованием программного комплекса SPURT.CRIS, сгенерированы и исследованы профили залегания имплантированных ионов в зависимости от угла падения α ионов при облучении поверхности модельной наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ . Энергия падающих ионов титана варьировалась от Е₁ = 0,5 кэВ до Е₄ = 2,0 кэВ, угол падения α изменялся в интервале 0…80º. На основании проведенных исследований получены угловые зависимости профилей первичного распределения имплантированных ионов в модельной наноструктурной пленке. Определены максимальные глубины залегания имплантированных ионов. Показано, что для различных углов падения при ионной обработке поверхности существуют оптимальные значения углов, при которых достигается максимальная концентрация ионов Ti⁺ в облучаемой пленке, что позволяет эффективно проводить процесс формирования поверхностных слоев материала с наперед заданными свойствами.

Similar Items