Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS

• Видавець: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
• Дата: 2014
• Автори: Павленко, В.И., Слепцов, С.Н., Ферлий, Л.А., Чалый, С.О.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2014
• Назва видання: Вопросы атомной науки и техники
• Теми: Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79968
• Цитувати: Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS / В.И. Павленко, С.Н. Слепцов, Л.А. Ферлий, С.О. Чалый // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 2. — С. 167-173. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Методами математического моделирования, с использованием программного комплекса SPURT.CRIS, сгенерированы и исследованы профили залегания имплантированных ионов в зависимости от угла падения α ионов при облучении поверхности модельной наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ . Энергия падающих ионов титана варьировалась от Е₁ = 0,5 кэВ до Е₄ = 2,0 кэВ, угол падения α изменялся в интервале 0…80º. На основании проведенных исследований получены угловые зависимости профилей первичного распределения имплантированных ионов в модельной наноструктурной пленке. Определены максимальные глубины залегания имплантированных ионов. Показано, что для различных углов падения при ионной обработке поверхности существуют оптимальные значения углов, при которых достигается максимальная концентрация ионов Ti⁺ в облучаемой пленке, что позволяет эффективно проводить процесс формирования поверхностных слоев материала с наперед заданными свойствами.