Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS
Методами математического моделирования, с использованием программного комплекса SPURT.CRIS, сгенерированы и исследованы профили залегания имплантированных ионов в зависимости от угла падения α ионов при облучении поверхности модельной наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ . Энергия падающих и...
Збережено в:
| Видавець: | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2014
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79968 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS / В.И. Павленко, С.Н. Слепцов, Л.А. Ферлий, С.О. Чалый // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 2. — С. 167-173. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-79968 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-799682015-04-10T03:02:15Z Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS Павленко, В.И. Слепцов, С.Н. Ферлий, Л.А. Чалый, С.О. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Методами математического моделирования, с использованием программного комплекса SPURT.CRIS, сгенерированы и исследованы профили залегания имплантированных ионов в зависимости от угла падения α ионов при облучении поверхности модельной наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ . Энергия падающих ионов титана варьировалась от Е₁ = 0,5 кэВ до Е₄ = 2,0 кэВ, угол падения α изменялся в интервале 0…80º. На основании проведенных исследований получены угловые зависимости профилей первичного распределения имплантированных ионов в модельной наноструктурной пленке. Определены максимальные глубины залегания имплантированных ионов. Показано, что для различных углов падения при ионной обработке поверхности существуют оптимальные значения углов, при которых достигается максимальная концентрация ионов Ti⁺ в облучаемой пленке, что позволяет эффективно проводить процесс формирования поверхностных слоев материала с наперед заданными свойствами. Методами математичного моделювання, з використанням програмного комплексу SPURT.CRIS, згенеровано та досліджено профілі залягання імплантованих іонів залежно від кута падіння α іонів при опроміненні поверхні модельної наноструктурної плівки Nb іонами Ti⁺. Енергія падаючих іонів титану варіювалася від Е₁ = 0,5 кеВ до Е₄ = 2,0 кеВ, кут падіння α змінювався в інтервалі 0…80º. На підставі проведених досліджень отримані кутові залежності профілів первинного розподілу імплантованих іонів у модельній наноструктурній плівці. Визначено максимальні глибини залягання імплантованих іонів. Показано, що для різних кутів падіння при іонній обробці поверхні існують оптимальні значення кутів, при яких досягається максимальна концентрація іонів Ti⁺ в плівці, що опромінюється, це дозволяє ефективно проводити процес формування поверхневих шарів матеріалу з наперед заданими властивостями. The SPURT.CRIS code has been used for computer simulation of the Ti ions implantation in the Nb nanostructured film at low temperatures. The distributions of Ti⁺ implanted ions were generated and analyzed depending on both the ion energy (Eion) and irradiation angle (α). The ion energy and irradiation angle were varied in the range from 0.5 to 2.0 keV and from 0° to 80°, respectively. The maximal depths of the Ti⁺ implanted ions were evaluated using the generated distributions. It was shown that the maximal depth of Ti implanted ions in the Nb film is realized at the definite range of irradiation angles. This effect allows optimizing the process of film layers formation with the predetermined properties. 2014 Article Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS / В.И. Павленко, С.Н. Слепцов, Л.А. Ферлий, С.О. Чалый // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 2. — С. 167-173. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79968 539.534.9:523.23 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| spellingShingle |
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Павленко, В.И. Слепцов, С.Н. Ферлий, Л.А. Чалый, С.О. Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS Вопросы атомной науки и техники |
| description |
Методами математического моделирования, с использованием программного комплекса SPURT.CRIS,
сгенерированы и исследованы профили залегания имплантированных ионов в зависимости от угла падения α
ионов при облучении поверхности модельной наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺
. Энергия падающих
ионов титана варьировалась от Е₁ = 0,5 кэВ до Е₄ = 2,0 кэВ, угол падения α изменялся в интервале 0…80º. На
основании проведенных исследований получены угловые зависимости профилей первичного распределения
имплантированных ионов в модельной наноструктурной пленке. Определены максимальные глубины залегания имплантированных ионов. Показано, что для различных углов падения при ионной обработке поверхности существуют оптимальные значения углов, при которых достигается максимальная концентрация ионов
Ti⁺ в облучаемой пленке, что позволяет эффективно проводить процесс формирования поверхностных слоев
материала с наперед заданными свойствами. |
| format |
Article |
| author |
Павленко, В.И. Слепцов, С.Н. Ферлий, Л.А. Чалый, С.О. |
| author_facet |
Павленко, В.И. Слепцов, С.Н. Ферлий, Л.А. Чалый, С.О. |
| author_sort |
Павленко, В.И. |
| title |
Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS |
| title_short |
Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS |
| title_full |
Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS |
| title_fullStr |
Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS |
| title_full_unstemmed |
Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS |
| title_sort |
исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов ti⁺ в наноструктурной пленке nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. компьютерное моделирование по программе spurt.cris |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| publishDate |
2014 |
| topic_facet |
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79968 |
| citation_txt |
Исследование поведения профилей залегания имплантированных ионов Ti⁺ в наноструктурной пленке Nb в зависимости от угла падения ионов при низкотемпературном облучении. Компьютерное моделирование по программе SPURT.CRIS / В.И. Павленко, С.Н. Слепцов, Л.А. Ферлий, С.О. Чалый // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 2. — С. 167-173. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
| series |
Вопросы атомной науки и техники |
| work_keys_str_mv |
AT pavlenkovi issledovaniepovedeniâprofilejzaleganiâimplantirovannyhionovtivnanostrukturnojplenkenbvzavisimostiotuglapadeniâionovprinizkotemperaturnomoblučeniikompʹûternoemodelirovaniepoprogrammespurtcris AT slepcovsn issledovaniepovedeniâprofilejzaleganiâimplantirovannyhionovtivnanostrukturnojplenkenbvzavisimostiotuglapadeniâionovprinizkotemperaturnomoblučeniikompʹûternoemodelirovaniepoprogrammespurtcris AT ferlijla issledovaniepovedeniâprofilejzaleganiâimplantirovannyhionovtivnanostrukturnojplenkenbvzavisimostiotuglapadeniâionovprinizkotemperaturnomoblučeniikompʹûternoemodelirovaniepoprogrammespurtcris AT čalyjso issledovaniepovedeniâprofilejzaleganiâimplantirovannyhionovtivnanostrukturnojplenkenbvzavisimostiotuglapadeniâionovprinizkotemperaturnomoblučeniikompʹûternoemodelirovaniepoprogrammespurtcris |
| first_indexed |
2023-10-18T19:19:54Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:19:54Z |
| _version_ |
1796146626367062016 |