The annealing of high - level doped materials on the base of the n – and p – Si₀.₇ Ge₀.₃ solid solution under reactor irradiation
N- and p-type samples of Si-Ge solid solution with the resistivity of (4...7) 10⁻³⋅ Ohm·cm, unannealed after high-temperature baking have been investigated. Samples were irradiated up to the fluence ~10²⁰ n⁰·cm⁻² in reactor active zone at the temperature ~500 ºC in mixed neutron field. It has b...
Збережено в:
Дата: | 2006 |
---|---|
Автор: | Dolgolenko, A.P. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2006
|
Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/80147 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | The annealing of high - level doped materials on the base of the n – and p – Si₀.₇ Ge₀.₃ solid solution under reactor irradiation / A.P. Dolgolenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 65-70. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Исследование влияния реакторного облучения на термоэлектрические свойства сильнолегированного n- и p-Si₀,₇Ge₀,₃
за авторством: Бокучава, Г. В., та інші
Опубліковано: (2005) -
Еlectret properties of γ-irradiated composites of ultrahigh molecular weight polyethylene/α-SiO₂
за авторством: Magerramov, A.M., та інші
Опубліковано: (2018) -
Modulated structures in materials under irradiation
за авторством: Babich, A.V., та інші
Опубліковано: (2014) -
Instabilities in binary compounds under irradiation
за авторством: Mykhaylovskyy, V.V., та інші
Опубліковано: (2000) -
Тhe dose dependence of inert gases irradiation hardening of 316 austenitic stainless steel after low temperature irradiation
за авторством: Karpov, S.A., та інші
Опубліковано: (2018)