The annealing of high - level doped materials on the base of the n – and p – Si₀.₇ Ge₀.₃ solid solution under reactor irradiation за авторством Dolgolenko, A.P.

Отримати повний текст

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon за авторством Gaidar, G.P., Dolgolenko, A.P., Litovchenko, P.G.

Отримати повний текст

Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons за авторством Dolgolenko, A.P., Varentsov, M.D., Gaidar, G.P., Litovchenko, P.G.

Отримати повний текст

Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons за авторством Dolgolenko, A.P., Litovchenko, P.G., Litovchenko, A.P., Varentsov, M.D., Lastovetsky, V.F., Gaidar, G.P.

Отримати повний текст

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers за авторством Druzhinin, A.A., Dolgolenko, A.P., Ostrovskii, I.P., Khoverko, Yu.N., Nichkalo, S.I., Kogut, Iu.R.

Отримати повний текст

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples за авторством Dolgolenko, A.P., Druzhinin, A.A., Karpenko, A.Ya., Nichkalo, S.I., Ostrovsky, I.P., Litovchenko, P.G., Litovchenko, A.P.

Отримати повний текст

Influence of preliminary irradiation on radiation hardness of silicon and indium antimonide за авторством Litovchenko, P.G., Wahl, W., Groza, A.A., Dolgolenko, A.P., Karpenko, A.Ya., Khivrych, V.I., Litovchenko, O.P., Lastovetsky, V.F., Sugakov1, V.I., Dubovy, V.K.

Отримати повний текст