Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора

• Дата: 2006
• Автори: Долголенко, А.П., Литовченко, П.Г., Варенцов, М.Д., Ластовецкий, В.Ф., Гайдар, Г.П., Литовченко, А.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2006
• Назва видання: Вопросы атомной науки и техники
• Теми: Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/80227
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора / А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко, М.Д. Варенцов, В.Ф. Ластовецкий, Г.П. Гайдар, А.П. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 175-181. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Образцы n-Si, выращенные методом бестигельной зонной плавки в вакууме (FZ), в атмосфере аргона (Ar) и нейтронно-легированные (NTD), исследованы до и после облучения быстрыми нейтронами реактора при комнатной температуре. Эффективная концентрация носителей в облучённом кремнии рассчитывалась в модельном приближении Госсика с учётом перезарядки дефектов как в проводящей матрице n-Si, так и в областях пространственного заряда кластеров. Повышенной радиационной стойкостью обладает n-Si (NTD). Скорость введения дивакансий в проводящую матрицу этого кремния в ~5 раз ниже, чем в n-Si (FZ) и в ~2 раза ниже, чем в n-Si (Ar). Наличие атомов кислорода, аргона и А-типа дефектов (дислокационные петли межузельного типа) в основном повышает радиационную стойкость n-Si.