2025-02-23T00:54:02-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-80227%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T00:54:02-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-80227%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T00:54:02-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T00:54:02-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора

Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора

Образцы n-Si, выращенные методом бестигельной зонной плавки в вакууме (FZ), в атмосфере аргона (Ar) и нейтронно-легированные (NTD), исследованы до и после облучения быстрыми нейтронами реактора при комнатной температуре. Эффективная концентрация носителей в облучённом кремнии рассчитывалась в модель...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Долголенко, А.П., Литовченко, П.Г., Варенцов, М.Д., Ластовецкий, В.Ф., Гайдар, Г.П., Литовченко, А.П.
Format: Article
Language:Russian
Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2006
Series:Вопросы атомной науки и техники
Subjects:
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/80227
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Образцы n-Si, выращенные методом бестигельной зонной плавки в вакууме (FZ), в атмосфере аргона (Ar) и нейтронно-легированные (NTD), исследованы до и после облучения быстрыми нейтронами реактора при комнатной температуре. Эффективная концентрация носителей в облучённом кремнии рассчитывалась в модельном приближении Госсика с учётом перезарядки дефектов как в проводящей матрице n-Si, так и в областях пространственного заряда кластеров. Повышенной радиационной стойкостью обладает n-Si (NTD). Скорость введения дивакансий в проводящую матрицу этого кремния в ~5 раз ниже, чем в n-Si (FZ) и в ~2 раза ниже, чем в n-Si (Ar). Наличие атомов кислорода, аргона и А-типа дефектов (дислокационные петли межузельного типа) в основном повышает радиационную стойкость n-Si.

Similar Items