Исследование влияния реакторного облучения на термоэлектрические свойства сильнолегированного n- и p-Si₀,₇Ge₀,₃
Представлены результаты исследования влияния реакторного облучения на термоэлектрические свойства сильнолегированных (концентрация носителей заряда ≥ 10²⁰ см -3 ) сплавов Si₀,₇Ge₀,₃ электронной и дырочной проводимости (легированных фосфором и бором соответственно). Показано, что «пороговые» значения...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2005
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/80412 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование влияния реакторного облучения на термоэлектрические свойства сильнолегированного n- и p-Si₀,₇Ge₀,₃ / Г. В. Бокучава, Г. Э. Мургулия, В. Г. Кашия // Вопросы атомной науки и техники. — 2005. — № 3. — С. 68-72. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |