Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films

The analysis of fixed points of the evolution equation for temperature in thermal fluctuation area in semiconductor film is done. It is shown that there exists a stable fixed point being more than the threshold of the breakdown regime development.

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2004
Автори: Andreyeva, N.V., Virchenko, Yu.P.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2004
Назва видання:Вопросы атомной науки и техники
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/80553
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films / N.V. Andreyeva, Yu.P. Virchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 5. — С. 126-128. — Бібліогр.: 2 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine