Characteristics and radiation tolerance of a double-sided microstrip detector with polysilicon biasing resistors

• Дата: 2000
• Автори: de Haas, A.P., Kuijer, P., Kulibaba, V.I., Maslov, N.I., Perevertailo, V.L., Ovchinnik, V.D., Potin, S.M., Starodubtsev, A.F.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2000
• Назва видання: Вопросы атомной науки и техники
• Теми: Experimental methods
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/82264
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Characteristics and radiation tolerance of a double-sided microstrip detector with polysilicon biasing resistors / A.P. de Haas, P. Kuijer, V.I. Kulibaba, N.I. Maslov, V.L. Perevertailo, V.D. Ovchinnik, S.M. Potin, A.F. Starodubtsev // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 2. — С. 26-33. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

The characteristics and radiation tolerance of a double-sided microstrip detector (DSMD) were studied, and the suitability of the detector to the ALICE experiment requirements was analyzed. The sensitive area of the silicon microstrip detector measures 40x75 mm. The DSMD consists of 750 registering...