Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties
The correlation between radiation-induced defects, arising in CdTe:Cl and CdZnTe after the hard X-ray irradiation, and charges collection efficiency of detectors based on these materials has been investigated by means of computer simulation method. The role of radiation-induced defects during degrad...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2015
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/82434 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties / A.I. Kondrik // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 2. — С. 18-24. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-82434 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-824342015-05-30T03:01:56Z Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties Kondrik, A.I. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах The correlation between radiation-induced defects, arising in CdTe:Cl and CdZnTe after the hard X-ray irradiation, and charges collection efficiency of detectors based on these materials has been investigated by means of computer simulation method. The role of radiation-induced defects during degradation of CdTe:Cl detector performance has been determined. An attempt to explain the reasons for higher radiation resistance of CdZnTe compared with CdTe:Cl has been made. Методом компьютерного моделирования проведено исследование корреляции между радиационными дефектами, возникшими в CdTe:Cl и CdZnTe после жесткого рентгеновского облучения, и эффективностью сбора зарядов детекторов на их основе. Определена роль радиационных дефектов в процессах деградации детекторных характеристик CdTe:Cl. Сделана попытка объяснить причины более высокой радиационной стойкости CdZnTe по сравнению с CdTe:Cl. Методом комп’ютерного моделювання проведено дослідження кореляції між радіаційними дефектами, які виникли в CdTe:Cl та CdTe після жорсткого радіаційного опромінення, і ефективністю збору зарядів детекторів на їх основі. Визначена роль радіаційних дефектів у процесах деградації детекторних характеристик CdTe:Cl. Зроблена спроба пояснити причини більш високої радіаційної стійкості CdZnTe у порівнянні з CdTe:Cl. 2015 Article Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties / A.I. Kondrik // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 2. — С. 18-24. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 71.55.GS, 72.20.JV http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/82434 en Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| spellingShingle |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Kondrik, A.I. Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties Вопросы атомной науки и техники |
| description |
The correlation between radiation-induced defects, arising in CdTe:Cl and CdZnTe after the hard X-ray irradiation, and charges collection efficiency of detectors based on these materials has been investigated by means of computer simulation method. The role of radiation-induced defects during degradation of CdTe:Cl detector performance has been determined. An attempt to explain the reasons for higher radiation resistance of CdZnTe compared with CdTe:Cl has been made. |
| format |
Article |
| author |
Kondrik, A.I. |
| author_facet |
Kondrik, A.I. |
| author_sort |
Kondrik, A.I. |
| title |
Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties |
| title_short |
Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties |
| title_full |
Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties |
| title_fullStr |
Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties |
| title_full_unstemmed |
Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties |
| title_sort |
influence of radiation-induced defects on cdte and cdznte detectors properties |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| publishDate |
2015 |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/82434 |
| citation_txt |
Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties / A.I. Kondrik // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 2. — С. 18-24. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |
| series |
Вопросы атомной науки и техники |
| work_keys_str_mv |
AT kondrikai influenceofradiationinduceddefectsoncdteandcdzntedetectorsproperties |
| first_indexed |
2024-03-30T08:18:55Z |
| last_indexed |
2024-03-30T08:18:55Z |
| _version_ |
1796146876434612224 |