Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF
Изучено оптическое поглощение излучения для облученных до дозы 1057 Р кристаллов LiF с величинами предварительной деформации 0,155 и 1,5%. Сделан вывод о присутствии F-центров в облученных кристаллах, определена объемная плотность указанных радиационных дефектов. На основании экспериментальных данны...
Збережено в:
| Видавець: | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2015 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2015
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/82435 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF / Г.А. Петченко, А.М. Петченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 2. — С. 25-28. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |