2025-02-22T21:13:54-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-82435%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T21:13:54-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-82435%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T21:13:54-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T21:13:54-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF

Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF

Изучено оптическое поглощение излучения для облученных до дозы 1057 Р кристаллов LiF с величинами предварительной деформации 0,155 и 1,5%. Сделан вывод о присутствии F-центров в облученных кристаллах, определена объемная плотность указанных радиационных дефектов. На основании экспериментальных данны...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Петченко, Г.А., Петченко, А.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2015
Series:Вопросы атомной науки и техники
Subjects:
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/82435
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/82435

Similar Items