Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF
Изучено оптическое поглощение излучения для облученных до дозы 1057 Р кристаллов LiF с величинами предварительной деформации 0,155 и 1,5%. Сделан вывод о присутствии F-центров в облученных кристаллах, определена объемная плотность указанных радиационных дефектов. На основании экспериментальных данны...
Збережено в:
| Видавець: | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2015 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2015
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/82435 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF / Г.А. Петченко, А.М. Петченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 2. — С. 25-28. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-82435 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-824352015-05-30T03:01:57Z Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF Петченко, Г.А. Петченко, А.М. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Изучено оптическое поглощение излучения для облученных до дозы 1057 Р кристаллов LiF с величинами предварительной деформации 0,155 и 1,5%. Сделан вывод о присутствии F-центров в облученных кристаллах, определена объемная плотность указанных радиационных дефектов. На основании экспериментальных данных, полученных в настоящей и предыдущих работах, изучены деформационные зависимости спектрального показателя ослабления Kλ и концентрации F-центров NF. Вивчено оптичне поглинання випромінювання для опромінених до дози 1057 Р кристалів LiF з величи-нами попередньої деформації 0,155 и 1,5%. Зроблено висновок щодо присутності F-центрів в опромінених кристалах, визначено об’ємну густину вказаних радіаційних дефектів. На підставі екпериментальних даних, отриманих у даній та попередніх роботах, вивчено деформаційні залежності спектрального показника ослаблення Kλ та концентрації F-центрів NF. The optical radiation absorption has been investigated for LiF crystals preliminary deformed to the level of 0.155 and 1.5% under irradiation to a dose of 1057 R. A conclusion on the presence of F-centers in irradiated crystals is drawn. The volume density of the observed radiation defects is evaluated. Basing on the experimental data of the present and previous papers the deformation dependences of the spectral damping coefficient Kλ and the concentration NF of F-centers were investigated. 2015 Article Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF / Г.А. Петченко, А.М. Петченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 2. — С. 25-28. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/82435 539.67:539.374 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| spellingShingle |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Петченко, Г.А. Петченко, А.М. Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF Вопросы атомной науки и техники |
| description |
Изучено оптическое поглощение излучения для облученных до дозы 1057 Р кристаллов LiF с величинами предварительной деформации 0,155 и 1,5%. Сделан вывод о присутствии F-центров в облученных кристаллах, определена объемная плотность указанных радиационных дефектов. На основании экспериментальных данных, полученных в настоящей и предыдущих работах, изучены деформационные зависимости спектрального показателя ослабления Kλ и концентрации F-центров NF. |
| format |
Article |
| author |
Петченко, Г.А. Петченко, А.М. |
| author_facet |
Петченко, Г.А. Петченко, А.М. |
| author_sort |
Петченко, Г.А. |
| title |
Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF |
| title_short |
Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF |
| title_full |
Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF |
| title_fullStr |
Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF |
| title_full_unstemmed |
Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF |
| title_sort |
зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов lif |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| publishDate |
2015 |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/82435 |
| citation_txt |
Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF / Г.А. Петченко, А.М. Петченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 2. — С. 25-28. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| series |
Вопросы атомной науки и техники |
| work_keys_str_mv |
AT petčenkoga zavisimostʹkoncentraciiélektronnyhcentrovokraskiotsostoâniâdislokacionnojstrukturyoblučennyhkristallovlif AT petčenkoam zavisimostʹkoncentraciiélektronnyhcentrovokraskiotsostoâniâdislokacionnojstrukturyoblučennyhkristallovlif |
| first_indexed |
2024-03-30T08:18:55Z |
| last_indexed |
2024-03-30T08:18:55Z |
| _version_ |
1796146876540518400 |