Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs

Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs

Дослiджується вплив швидких нейтронiв на зразки свiтловипромiнюючих дiодних структур n^+-n-p-AlxGa1−xAs/GaAs (x = 0,27 ÷ 0,31). Вольт-ампернi характеристики вимiрювалися в iнтервалi температур 77 К – 300 К до та пiсля опромiнення нейтронами з флюенсом (10^14– 5 · 10^16) см^−2. Встановлено, що вiдбув...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2009
Автори: Сизов, Ф.Ф., Гришин, Ю.Г., Круковський, С.І., Опилат, В.Я., Петренко, І.В., Савкіна, Р.К., Смірнов, О.Б., Тартачник, В.П.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2009
Теми:
Фізика
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/8515
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs / Ф.Ф. Сизов, Ю. Г. Гришин, С. I. Круковський, В.Я. Опилат, I.В. Петренко, Р.К. Савкiна, О.Б. Смiрнов, В.П. Тартачник // Доп. НАН України. — 2009. — № 5. — С. 87-93. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Дослiджується вплив швидких нейтронiв на зразки свiтловипромiнюючих дiодних структур n^+-n-p-AlxGa1−xAs/GaAs (x = 0,27 ÷ 0,31). Вольт-ампернi характеристики вимiрювалися в iнтервалi температур 77 К – 300 К до та пiсля опромiнення нейтронами з флюенсом (10^14– 5 · 10^16) см^−2. Встановлено, що вiдбувається радiацiйно стимульоване зростання прямого струму дiодiв внаслiдок зменшення концентрацiї основних носiїв заряду та часу життя неосновних носiїв заряду. Причиною змiни параметрiв є радiацiйне введення пасток.

Схожі ресурси