Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs
Дослiджується вплив швидких нейтронiв на зразки свiтловипромiнюючих дiодних структур n^+-n-p-AlxGa1−xAs/GaAs (x = 0,27 ÷ 0,31). Вольт-ампернi характеристики вимiрювалися в iнтервалi температур 77 К – 300 К до та пiсля опромiнення нейтронами з флюенсом (10^14– 5 · 10^16) см^−2. Встановлено, що вiдбув...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/8515 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs / Ф.Ф. Сизов, Ю. Г. Гришин, С. I. Круковський, В.Я. Опилат, I.В. Петренко, Р.К. Савкiна, О.Б. Смiрнов, В.П. Тартачник // Доп. НАН України. — 2009. — № 5. — С. 87-93. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-8515 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-85152010-06-08T12:01:23Z Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs Сизов, Ф.Ф. Гришин, Ю.Г. Круковський, С.І. Опилат, В.Я. Петренко, І.В. Савкіна, Р.К. Смірнов, О.Б. Тартачник, В.П. Фізика Дослiджується вплив швидких нейтронiв на зразки свiтловипромiнюючих дiодних структур n^+-n-p-AlxGa1−xAs/GaAs (x = 0,27 ÷ 0,31). Вольт-ампернi характеристики вимiрювалися в iнтервалi температур 77 К – 300 К до та пiсля опромiнення нейтронами з флюенсом (10^14– 5 · 10^16) см^−2. Встановлено, що вiдбувається радiацiйно стимульоване зростання прямого струму дiодiв внаслiдок зменшення концентрацiї основних носiїв заряду та часу життя неосновних носiїв заряду. Причиною змiни параметрiв є радiацiйне введення пасток. AlxGa1−xAs/GaAs-based (x = 0.27÷0.31) light-emitting diodes were exposed to fast neutrons with fluences ranging from 10^14 to 5·10^16 n/cm², and their current-voltage characteristics were measured from 300 K to 80 K. Experimental results have revealed an increase of the positive current through the irradiated diode when it is forward-biased that is connected with a decrease of the majoritycarrier concentration and the minority-carrier lifetime. Change of the electric transport is probably due to the creation of traps after neutron irradiation. 2009 Article Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs / Ф.Ф. Сизов, Ю. Г. Гришин, С. I. Круковський, В.Я. Опилат, I.В. Петренко, Р.К. Савкiна, О.Б. Смiрнов, В.П. Тартачник // Доп. НАН України. — 2009. — № 5. — С. 87-93. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 1025-6415 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/8515 538.935 uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| topic |
Фізика Фізика |
| spellingShingle |
Фізика Фізика Сизов, Ф.Ф. Гришин, Ю.Г. Круковський, С.І. Опилат, В.Я. Петренко, І.В. Савкіна, Р.К. Смірнов, О.Б. Тартачник, В.П. Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs |
| description |
Дослiджується вплив швидких нейтронiв на зразки свiтловипромiнюючих дiодних структур n^+-n-p-AlxGa1−xAs/GaAs (x = 0,27 ÷ 0,31). Вольт-ампернi характеристики вимiрювалися в iнтервалi температур 77 К – 300 К до та пiсля опромiнення нейтронами з флюенсом (10^14– 5 · 10^16) см^−2. Встановлено, що вiдбувається радiацiйно стимульоване зростання прямого струму дiодiв внаслiдок зменшення концентрацiї основних носiїв заряду та часу життя неосновних носiїв заряду. Причиною змiни параметрiв є радiацiйне введення пасток. |
| format |
Article |
| author |
Сизов, Ф.Ф. Гришин, Ю.Г. Круковський, С.І. Опилат, В.Я. Петренко, І.В. Савкіна, Р.К. Смірнов, О.Б. Тартачник, В.П. |
| author_facet |
Сизов, Ф.Ф. Гришин, Ю.Г. Круковський, С.І. Опилат, В.Я. Петренко, І.В. Савкіна, Р.К. Смірнов, О.Б. Тартачник, В.П. |
| author_sort |
Сизов, Ф.Ф. |
| title |
Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs |
| title_short |
Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs |
| title_full |
Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs |
| title_fullStr |
Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs |
| title_full_unstemmed |
Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs |
| title_sort |
вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів alxga1–xas |
| publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| publishDate |
2009 |
| topic_facet |
Фізика |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/8515 |
| citation_txt |
Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs / Ф.Ф. Сизов, Ю. Г. Гришин, С. I. Круковський, В.Я. Опилат, I.В. Петренко, Р.К. Савкiна, О.Б. Смiрнов, В.П. Тартачник // Доп. НАН України. — 2009. — № 5. — С. 87-93. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT sizovff vplivnejtronnogoopromínennânaharakteristikisvítlodíodívalxga1xas AT grišinûg vplivnejtronnogoopromínennânaharakteristikisvítlodíodívalxga1xas AT krukovsʹkijsí vplivnejtronnogoopromínennânaharakteristikisvítlodíodívalxga1xas AT opilatvâ vplivnejtronnogoopromínennânaharakteristikisvítlodíodívalxga1xas AT petrenkoív vplivnejtronnogoopromínennânaharakteristikisvítlodíodívalxga1xas AT savkínark vplivnejtronnogoopromínennânaharakteristikisvítlodíodívalxga1xas AT smírnovob vplivnejtronnogoopromínennânaharakteristikisvítlodíodívalxga1xas AT tartačnikvp vplivnejtronnogoopromínennânaharakteristikisvítlodíodívalxga1xas |
| first_indexed |
2023-10-18T16:40:03Z |
| last_indexed |
2023-10-18T16:40:03Z |
| _version_ |
1796139575661297664 |