Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів
Розроблено стенд, який надає можливість одночасно вимірювати температурні залежності електричного опору (R) та оптичного пропускання (θ) плівок у ділянці температур 300 - 560 K. Досліджено температурні залежності R і θ аморфних плівок системи сурма - селен. Показано, що їх кристалізація супроводжуєт...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
2014
|
| Назва видання: | Реєстрація, зберігання і обробка даних |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87110 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів / В.К. Кириленко, В.М. Мар’ян, М.О. Дуркот, В.М. Рубіш // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2014. — Т. 16, № 2. — С. 7-13. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-87110 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-871102015-10-12T03:02:08Z Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів Кириленко, В.К. Мар’ян, В.М. Дуркот, М.О. Рубіш, В.М. Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних Розроблено стенд, який надає можливість одночасно вимірювати температурні залежності електричного опору (R) та оптичного пропускання (θ) плівок у ділянці температур 300 - 560 K. Досліджено температурні залежності R і θ аморфних плівок системи сурма - селен. Показано, що їх кристалізація супроводжується різким зменшенням цих параметрів. Температурний інтервал переходу плівок з аморфного стану в кристалічний залежить від складу плівок, матеріалу контактів та умов термообробки. A stand was developed that allows simultaneously measure the temperature dependences of the electrical resistance (R) and optical transmittance (θ) of films in the region of temperatures 300–560 K. The temperature dependences of R and θ amorphous films of antimony-selenium have been studied. It is shown that their crystallization is accompanied by a sharp decrease of these parameters. The temperature range of film transition from amorphous to a crystalline state depends on the film composition, material for contacts and heat treatment conditions. 2014 Article Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів / В.К. Кириленко, В.М. Мар’ян, М.О. Дуркот, В.М. Рубіш // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2014. — Т. 16, № 2. — С. 7-13. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. 1560-9189 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87110 004.08; 537.363 uk Реєстрація, зберігання і обробка даних Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| topic |
Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних |
| spellingShingle |
Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних Кириленко, В.К. Мар’ян, В.М. Дуркот, М.О. Рубіш, В.М. Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів Реєстрація, зберігання і обробка даних |
| description |
Розроблено стенд, який надає можливість одночасно вимірювати температурні залежності електричного опору (R) та оптичного пропускання (θ) плівок у ділянці температур 300 - 560 K. Досліджено температурні залежності R і θ аморфних плівок системи сурма - селен. Показано, що їх кристалізація супроводжується різким зменшенням цих параметрів. Температурний інтервал переходу плівок з аморфного стану в кристалічний залежить від складу плівок, матеріалу контактів та умов термообробки. |
| format |
Article |
| author |
Кириленко, В.К. Мар’ян, В.М. Дуркот, М.О. Рубіш, В.М. |
| author_facet |
Кириленко, В.К. Мар’ян, В.М. Дуркот, М.О. Рубіш, В.М. |
| author_sort |
Кириленко, В.К. |
| title |
Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів |
| title_short |
Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів |
| title_full |
Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів |
| title_fullStr |
Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів |
| title_full_unstemmed |
Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів |
| title_sort |
дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів |
| publisher |
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
| publishDate |
2014 |
| topic_facet |
Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87110 |
| citation_txt |
Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів / В.К. Кириленко, В.М. Мар’ян, М.О. Дуркот, В.М. Рубіш // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2014. — Т. 16, № 2. — С. 7-13. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
| series |
Реєстрація, зберігання і обробка даних |
| work_keys_str_mv |
AT kirilenkovk doslídžennâamorfnihhalʹkogenídnihmateríalívelementívpamâtínaosnovífazovihperehodív AT marânvm doslídžennâamorfnihhalʹkogenídnihmateríalívelementívpamâtínaosnovífazovihperehodív AT durkotmo doslídžennâamorfnihhalʹkogenídnihmateríalívelementívpamâtínaosnovífazovihperehodív AT rubíšvm doslídžennâamorfnihhalʹkogenídnihmateríalívelementívpamâtínaosnovífazovihperehodív |
| first_indexed |
2023-10-18T19:34:52Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:34:52Z |
| _version_ |
1796147348663959552 |