Вплив умов осадження і відпалу на нанотвердість аморфних Si–C–N-плівок

Наведено експериментальні результати по тонких Sі–C–N-плівках, одержаних плазмохімічним методом із гексаметилдісилазану. Досліджено вплив потужности високочастотного газового розряду, кількости доданого до реактивної суміші азоту, зміщення на підкладкотримачеві, температури підкладкотримача та додат...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2015
Автор: Порада, О.К.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2015
Назва видання:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87978
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Вплив умов осадження і відпалу на нанотвердість аморфних Si–C–N-плівок / О.К. Порада // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 1. — С. 59–74. — Бібліогр.: 32 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-87978
record_format dspace
spelling irk-123456789-879782015-11-06T03:02:04Z Вплив умов осадження і відпалу на нанотвердість аморфних Si–C–N-плівок Порада, О.К. Наведено експериментальні результати по тонких Sі–C–N-плівках, одержаних плазмохімічним методом із гексаметилдісилазану. Досліджено вплив потужности високочастотного газового розряду, кількости доданого до реактивної суміші азоту, зміщення на підкладкотримачеві, температури підкладкотримача та додаткового вакуумного відпалу на властивості плівок. Встановлено, що до зміни умов осадження найбільш чутливими виявилися нанотвердість (Н) та модуль Юнґа (Е) плівок. Із параметрів осадження найбільший вплив на величини Н та Е створюють температура підкладкотримача та зміщення на ньому. Збільшення кількости доданого азоту, зміщення та температури підкладкотримача сприяє підвищенню значень Н та Е, що пов’язане з ростом чисельности Si–C- і Si–N-зв’язків. При нарощуванні потужности розряду — усе навпаки: Н і Е зменшуються завдяки переважаючому впливу Si–О-зв’язків. За всіх умов осадження формується аморфна структура плівок, шерсткість поверхні яких порівнянна з шерсткістю поверхні кремнієвої підкладки. Високотемпературний відпал у вакуумі до 1000С не впливає помітно на структуру, морфологію поверхні та величини Н і Е плівок. Приведены экспериментальные результаты по тонким Sі–C–N-плёнкам, полученным плазмохимическим методом из гексаметилдисилазана. Исследовано влияние мощности ультравысокочастотного газового разряда, количества прибавленного к реактивной смеси азота, смещения на подложкодержателе, температуры подложкодержателя и дополнительного вакуумного отжига на свойства плёнок. Установлено, что к изменению условий осаждения наиболее чувствительными оказались нанотвёрдость (Н) и модуль Юнга (Е) плёнок. Из параметров осаждения наибольшее влияние на величины Н и Е оказывают температура подложкодержателя и смещение на нём. Увеличение количества прибавленного азота, смещения и температуры способствует повышению значений Н и E, что связано с ростом численности Si–C- и Si–N-связей. При увеличении мощности — всё наоборот: Н и E уменьшаются при преобладающем влиянии Si–О-связей. При всех условиях осаждения формируется аморфная структура плёнок, шероховатость поверхности которых сравнима с шероховатостью поверхности кремниевой подложки. Высокотемпературный отжиг в вакууме до 1000?C не влияет заметно на структуру, морфологию поверхности и величины Н и Е плёнок. The results for Si–C–N films deposited by a plasma-chemical method using hexamethyldisilazane as a main precursor are reported. The influence of discharge power, an amount of added nitrogen, substrate bias, substrate temperature, and annealing on film properties is investigated. As revealed, nanohardness (H) and Young’s module (E) are the most sensitive to substrate temperature and substrate bias. An increase of most deposition parameters leads to increasing both H and E due to an enhancement of the Si–C and Si–N bonds. On the contrary, H and E decrease with increasing discharge power mostly because of formation of Si–O bonds. The deposited films are amorphous, and their surface roughness is comparable to the surface roughness of silicon substrates. Annealing in vacuum does not affect significantly on the structure, surface morphology, and values of H and E. 2015 Article Вплив умов осадження і відпалу на нанотвердість аморфних Si–C–N-плівок / О.К. Порада // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 1. — С. 59–74. — Бібліогр.: 32 назв. — укр. 1816-5230 PACS numbers: 61.43.Dq, 62.20.de, 62.20.Qp, 68.55.J-, 68.60.-p, 78.30.Ly, 81.15.Gh http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87978 uk Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
description Наведено експериментальні результати по тонких Sі–C–N-плівках, одержаних плазмохімічним методом із гексаметилдісилазану. Досліджено вплив потужности високочастотного газового розряду, кількости доданого до реактивної суміші азоту, зміщення на підкладкотримачеві, температури підкладкотримача та додаткового вакуумного відпалу на властивості плівок. Встановлено, що до зміни умов осадження найбільш чутливими виявилися нанотвердість (Н) та модуль Юнґа (Е) плівок. Із параметрів осадження найбільший вплив на величини Н та Е створюють температура підкладкотримача та зміщення на ньому. Збільшення кількости доданого азоту, зміщення та температури підкладкотримача сприяє підвищенню значень Н та Е, що пов’язане з ростом чисельности Si–C- і Si–N-зв’язків. При нарощуванні потужности розряду — усе навпаки: Н і Е зменшуються завдяки переважаючому впливу Si–О-зв’язків. За всіх умов осадження формується аморфна структура плівок, шерсткість поверхні яких порівнянна з шерсткістю поверхні кремнієвої підкладки. Високотемпературний відпал у вакуумі до 1000С не впливає помітно на структуру, морфологію поверхні та величини Н і Е плівок.
format Article
author Порада, О.К.
spellingShingle Порада, О.К.
Вплив умов осадження і відпалу на нанотвердість аморфних Si–C–N-плівок
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
author_facet Порада, О.К.
author_sort Порада, О.К.
title Вплив умов осадження і відпалу на нанотвердість аморфних Si–C–N-плівок
title_short Вплив умов осадження і відпалу на нанотвердість аморфних Si–C–N-плівок
title_full Вплив умов осадження і відпалу на нанотвердість аморфних Si–C–N-плівок
title_fullStr Вплив умов осадження і відпалу на нанотвердість аморфних Si–C–N-плівок
title_full_unstemmed Вплив умов осадження і відпалу на нанотвердість аморфних Si–C–N-плівок
title_sort вплив умов осадження і відпалу на нанотвердість аморфних si–c–n-плівок
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
publishDate 2015
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87978
citation_txt Вплив умов осадження і відпалу на нанотвердість аморфних Si–C–N-плівок / О.К. Порада // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 1. — С. 59–74. — Бібліогр.: 32 назв. — укр.
series Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
work_keys_str_mv AT poradaok vplivumovosadžennâívídpalunananotverdístʹamorfnihsicnplívok
first_indexed 2023-10-18T19:36:41Z
last_indexed 2023-10-18T19:36:41Z
_version_ 1796147430956204032