Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия
Вводится критерий радиационной стойкости кремния n-типа проводимости. Предлагаются условия облучения и рассматриваются способы получения материала, обладающего повышенной радиационной стойкостью. Показана возможность кластеризации дефектов в кремнии как при облучении высокоэнергетическими протонами,...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2009
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96388 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия / Г.П. Гайдар, А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 4. — С. 263-269. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-96388 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-963882016-03-16T03:02:29Z Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия Гайдар, Г.П. Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Вводится критерий радиационной стойкости кремния n-типа проводимости. Предлагаются условия облучения и рассматриваются способы получения материала, обладающего повышенной радиационной стойкостью. Показана возможность кластеризации дефектов в кремнии как при облучении высокоэнергетическими протонами, так и при отжиге кластеров дефектов в определенном интервале температур. Обсуждаются перспективы создания сверхрешетки вакансионных пор в кремнии. Уведено критерій радіаційної стійкості кремнію n-типу провідності. Запропоновано умови опромінення та розглянуто способи отримання матеріалу, який має підвищену радіаційну стійкість. Показано можливість кластеризації дефектів у кремнії як при опроміненні високоенергетичними протонами, так і при відпалі кластерів дефектів у певному інтервалі температур. Обговорено перспективи створення надґратки вакансійних пор у кремнії. The criterion of radiation hardness for n-type silicon is determined. The irradiation conditions are proposed and the methods to obtain the material with improved radiation hardness are discussed. It is shown the possibility of clusterization of defects in silicon both under the irradiation by the high energy protons and during the annealing of defect clusters in the specific temperature interval. The perspective for the formation of superlattice of vacancy pores in silicon is considered. 2009 Article Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия / Г.П. Гайдар, А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 4. — С. 263-269. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96388 621.315.592.3:546.28:539.12.04 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| spellingShingle |
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Гайдар, Г.П. Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия Вопросы атомной науки и техники |
| description |
Вводится критерий радиационной стойкости кремния n-типа проводимости. Предлагаются условия облучения и рассматриваются способы получения материала, обладающего повышенной радиационной стойкостью. Показана возможность кластеризации дефектов в кремнии как при облучении высокоэнергетическими протонами, так и при отжиге кластеров дефектов в определенном интервале температур. Обсуждаются перспективы создания сверхрешетки вакансионных пор в кремнии. |
| format |
Article |
| author |
Гайдар, Г.П. Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. |
| author_facet |
Гайдар, Г.П. Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. |
| author_sort |
Гайдар, Г.П. |
| title |
Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия |
| title_short |
Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия |
| title_full |
Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия |
| title_fullStr |
Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия |
| title_full_unstemmed |
Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия |
| title_sort |
получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| publishDate |
2009 |
| topic_facet |
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96388 |
| citation_txt |
Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия / Г.П. Гайдар, А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 4. — С. 263-269. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| series |
Вопросы атомной науки и техники |
| work_keys_str_mv |
AT gajdargp polučenievysokoomnogokremniâspovyšennojradiacionnojstojkostʹûkriteriiiusloviâ AT dolgolenkoap polučenievysokoomnogokremniâspovyšennojradiacionnojstojkostʹûkriteriiiusloviâ AT litovčenkopg polučenievysokoomnogokremniâspovyšennojradiacionnojstojkostʹûkriteriiiusloviâ |
| first_indexed |
2023-10-18T19:55:13Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:55:13Z |
| _version_ |
1796148271229435904 |