2025-02-23T21:25:49-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98490%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T21:25:49-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98490%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T21:25:49-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T21:25:49-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Плазменная очистка технологических камер в высокочастотном емкостном разряде

В настоящей работе исследованы характеристики процесса плазменной очистки технологической камеры, покрытой пленками нитрида кремния и аморфного кремния во фторсодержащих газах CF₄, SF₆ и NF₃ в высокочастотном емкостном разряде. Процесс очистки камеры контролировался с помощью масс-спектрометрии, рег...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Лисовский, В., Бут, Ж.П., Ландри, K., Дуэ, Д., Касань, В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2004
Series:Физическая инженерия поверхности
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98490
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:В настоящей работе исследованы характеристики процесса плазменной очистки технологической камеры, покрытой пленками нитрида кремния и аморфного кремния во фторсодержащих газах CF₄, SF₆ и NF₃ в высокочастотном емкостном разряде. Процесс очистки камеры контролировался с помощью масс-спектрометрии, регистрации давления газа, амплитуды ВЧ напряжения, угла сдвига фазы между током и напряжением, тока проводимости, а также величины второй гармоники ВЧ тока. Анализируется возможность использования этих методов для контроля плазменной очистки и определения момента окончания процесса. Измерены скорости очистки камеры от пленок для различных условий. На основании полученных результатов сделан вывод о целесообразности использования NF₃ для процесса плазменной очистки технологических камер с кремнийсодержащими загрязнениями. Показано, что очистка камеры сложной геометрии или с неоднородным распределением осажденной пленки может иметь двухступенчатый характер.