Плазменная очистка технологических камер в высокочастотном емкостном разряде

• Дата: 2004
• Автори: Лисовский, В., Бут, Ж.П., Ландри, K., Дуэ, Д., Касань, В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2004
• Назва видання: Физическая инженерия поверхности
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98490
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Плазменная очистка технологических камер в высокочастотном емкостном разряде / В. Лисовский, Ж.П. Бут, K. Ландри, Д. Дуэ, В. Касань // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 4. — С. 168–183. — Бібліогр.: 77 назв. — рос.

В настоящей работе исследованы характеристики процесса плазменной очистки технологической камеры, покрытой пленками нитрида кремния и аморфного кремния во фторсодержащих газах CF₄, SF₆ и NF₃ в высокочастотном емкостном разряде. Процесс очистки камеры контролировался с помощью масс-спектрометрии, регистрации давления газа, амплитуды ВЧ напряжения, угла сдвига фазы между током и напряжением, тока проводимости, а также величины второй гармоники ВЧ тока. Анализируется возможность использования этих методов для контроля плазменной очистки и определения момента окончания процесса. Измерены скорости очистки камеры от пленок для различных условий. На основании полученных результатов сделан вывод о целесообразности использования NF₃ для процесса плазменной очистки технологических камер с кремнийсодержащими загрязнениями. Показано, что очистка камеры сложной геометрии или с неоднородным распределением осажденной пленки может иметь двухступенчатый характер.