Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок

Пленки ТаВ₂ были синтезированы ВЧ магнетронным распылением мишени ТаВ₂ на стеклянные и ситалловые подложки. Исследовано влияние параметров распыления магнетронной распылительной системы на состав и толщину покрытий методами фотометрии и вторичной ионной масс-спектрометрии. Показано, что для по...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2005
Автори: Петухов, В.В., Гончаров, А.А., Коновалов, В.А., Терпий, Д.Н., Ступак, В.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2005
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98759
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок / В.В. Петухов, А.А. Гончаров, В.А. Коновалов, Д.Н.Терпий, В.А. Ступак // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 241–244. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-98759
record_format dspace
spelling irk-123456789-987592016-04-18T03:02:51Z Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок Петухов, В.В. Гончаров, А.А. Коновалов, В.А. Терпий, Д.Н. Ступак, В.А. Пленки ТаВ₂ были синтезированы ВЧ магнетронным распылением мишени ТаВ₂ на стеклянные и ситалловые подложки. Исследовано влияние параметров распыления магнетронной распылительной системы на состав и толщину покрытий методами фотометрии и вторичной ионной масс-спектрометрии. Показано, что для получения стехиометрического состава и максимальной толщины необходимо предварительно определять величины оптимального давления рабочего газа, расстояния от мишени до подложки и затем размещать образцы в зоне равномерного распределения потока. Плівки TaB₂ були синтезовані ВЧ магнетронним розпиленням мішені ТаВ₂ на скляні та ситалові підкладинки. Досліджено вплив параметрів розпилення магнетронної розпилювальної системи на склад і товщину покрить методами фотометрії та вторинної іонної мас-спектрометрії. Показано, що для одержання стехиометричного складу й максимальної товщини необхідно попередньо визначати величини оптимального тиску робочого газу, відстані від мішені до підкладки і потім розміщати зразки в зоні рівномірного розподілу потоку. TaB₂ films were synthesised by hf magnetron spattering of the TaB₂ target onto glass and pyroceramic surface. The influence of spattering parameters of magnetron spattering system on the film composition and thickness was investigated by photo-metry and secondary mass-spectrometry methods. It was shown, that values of optimal working gas pressure, distances from the target to the substrate must be determined in advance as well as samples must be located in the flow uniform distribution zone in order to receive stoichiometric composition and top thickness. 2005 Article Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок / В.В. Петухов, А.А. Гончаров, В.А. Коновалов, Д.Н.Терпий, В.А. Ступак // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 241–244. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98759 546.471.2.539.23 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Пленки ТаВ₂ были синтезированы ВЧ магнетронным распылением мишени ТаВ₂ на стеклянные и ситалловые подложки. Исследовано влияние параметров распыления магнетронной распылительной системы на состав и толщину покрытий методами фотометрии и вторичной ионной масс-спектрометрии. Показано, что для получения стехиометрического состава и максимальной толщины необходимо предварительно определять величины оптимального давления рабочего газа, расстояния от мишени до подложки и затем размещать образцы в зоне равномерного распределения потока.
format Article
author Петухов, В.В.
Гончаров, А.А.
Коновалов, В.А.
Терпий, Д.Н.
Ступак, В.А.
spellingShingle Петухов, В.В.
Гончаров, А.А.
Коновалов, В.А.
Терпий, Д.Н.
Ступак, В.А.
Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок
Физическая инженерия поверхности
author_facet Петухов, В.В.
Гончаров, А.А.
Коновалов, В.А.
Терпий, Д.Н.
Ступак, В.А.
author_sort Петухов, В.В.
title Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок
title_short Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок
title_full Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок
title_fullStr Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок
title_full_unstemmed Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок
title_sort влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2005
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98759
citation_txt Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок / В.В. Петухов, А.А. Гончаров, В.А. Коновалов, Д.Н.Терпий, В.А. Ступак // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 241–244. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT petuhovvv vliânierežimovraspyleniâigeometriiraspylitelʹnojsistemynatolŝinuisostavpolučaemyhplenok
AT gončarovaa vliânierežimovraspyleniâigeometriiraspylitelʹnojsistemynatolŝinuisostavpolučaemyhplenok
AT konovalovva vliânierežimovraspyleniâigeometriiraspylitelʹnojsistemynatolŝinuisostavpolučaemyhplenok
AT terpijdn vliânierežimovraspyleniâigeometriiraspylitelʹnojsistemynatolŝinuisostavpolučaemyhplenok
AT stupakva vliânierežimovraspyleniâigeometriiraspylitelʹnojsistemynatolŝinuisostavpolučaemyhplenok
first_indexed 2023-10-18T20:00:27Z
last_indexed 2023-10-18T20:00:27Z
_version_ 1796148504863703040