2025-02-23T23:20:20-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98770%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T23:20:20-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98770%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T23:20:20-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T23:20:20-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода

Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода

В работе приведены результаты исследования процессов расширения слоя объемного заряда р-n-перехода затвора полевого транзистора. Прямыми исследованиями закономерности изменения емкости p-n-перехода от напряжения и характеристического параметра установлено, что чем резче и тоньше p-n-переход, тем...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Ёдгорова, Д.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2005
Series:Физическая инженерия поверхности
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98770
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:В работе приведены результаты исследования процессов расширения слоя объемного заряда р-n-перехода затвора полевого транзистора. Прямыми исследованиями закономерности изменения емкости p-n-перехода от напряжения и характеристического параметра установлено, что чем резче и тоньше p-n-переход, тем выше крутизна передаточной характеристики изготовленного на его основе полевого транзистора.

Similar Items