Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода
В работе приведены результаты исследования процессов расширения слоя объемного заряда р-n-перехода затвора полевого транзистора. Прямыми исследованиями закономерности изменения емкости p-n-перехода от напряжения и характеристического параметра установлено, что чем резче и тоньше p-n-переход, тем...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2005
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98770 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода / Д.М. Ёдгорова // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 232–234. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-98770 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-987702016-04-18T03:02:22Z Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода Ёдгорова, Д.М. В работе приведены результаты исследования процессов расширения слоя объемного заряда р-n-перехода затвора полевого транзистора. Прямыми исследованиями закономерности изменения емкости p-n-перехода от напряжения и характеристического параметра установлено, что чем резче и тоньше p-n-переход, тем выше крутизна передаточной характеристики изготовленного на его основе полевого транзистора. У роботі приведені результати дослідження процесів розширення шару об’ємного заряду р-n-переходу затвору польового транзистора. Прямими дослідженнями закономірності зміни ємності p-n-переходу від напруги і характеристичного параметра установлено, що чим різкіше і тонше p-n-перехід, тим вище крутість передатної характеристики виготовленого на його основі польового транзистора. In the work the results of research of processes of pn-junction gates space charge layer expansion in the field transistor are given. By direct researches of change of р-n-junction capacity with voltage and characteristic parameter is established, that the more abruptly and the thiner р-n-junction on the higher steepness of the transfer characteristics of the field transistor, made on its base is. 2005 Article Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода / Д.М. Ёдгорова // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 232–234. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98770 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
В работе приведены результаты исследования процессов расширения слоя объемного заряда
р-n-перехода затвора полевого транзистора. Прямыми исследованиями закономерности
изменения емкости p-n-перехода от напряжения и характеристического параметра установлено,
что чем резче и тоньше p-n-переход, тем выше крутизна передаточной характеристики изготовленного на его основе полевого транзистора. |
| format |
Article |
| author |
Ёдгорова, Д.М. |
| spellingShingle |
Ёдгорова, Д.М. Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Ёдгорова, Д.М. |
| author_sort |
Ёдгорова, Д.М. |
| title |
Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода |
| title_short |
Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода |
| title_full |
Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода |
| title_fullStr |
Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода |
| title_full_unstemmed |
Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода |
| title_sort |
исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2005 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98770 |
| citation_txt |
Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода / Д.М. Ёдгорова // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 232–234. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT ëdgorovadm issledovaniezavisimostivyhodnyhharakteristikpolevogotranzistoraotparametrovupravlâûŝegoperehoda |
| first_indexed |
2023-10-18T20:00:28Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:00:28Z |
| _version_ |
1796148506032865280 |