Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик

• Дата: 2006
• Автори: Возный, А.В., Ям, Дж.Ю., Кропотов, А.Ю., Фареник, В.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2006
• Назва видання: Физическая инженерия поверхности
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98787
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик / А.В. Возный, Дж.Ю. Ям, А.Ю. Кропотов, В.И. Фареник // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 97–103. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

При ионно-лучевом травлении диэлектрических образцов через маску субмикронных размеров зарядка поверхности вызывает искривление траектории ионов, что в конечном итоге делает невозможным получение более мелких микроструктур. В данной работе в качестве инструмента для сухого травления предлагается использовать пучок нейтральных частиц, который образуется в результате гетерогенной нейтрализации медленных ионов при отражении от поверхности плоскопараллельных проводящих пластин. Исследованы скорость травления кремниевых образцов и степень нейтрализации потока. Было показано, что при отражении ионов от поверхности под углом 5° подавляющая часть из них нейтрализуется.