Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик
При ионно-лучевом травлении диэлектрических образцов через маску субмикронных размеров зарядка поверхности вызывает искривление траектории ионов, что в конечном итоге делает невозможным получение более мелких микроструктур. В данной работе в качестве инструмента для сухого травления предлагается...
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2006
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98787 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик / А.В. Возный, Дж.Ю. Ям, А.Ю. Кропотов, В.И. Фареник // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 97–103. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-98787 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-987872016-04-18T03:02:52Z Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик Возный, А.В. Ям, Дж.Ю. Кропотов, А.Ю. Фареник, В.И. При ионно-лучевом травлении диэлектрических образцов через маску субмикронных размеров зарядка поверхности вызывает искривление траектории ионов, что в конечном итоге делает невозможным получение более мелких микроструктур. В данной работе в качестве инструмента для сухого травления предлагается использовать пучок нейтральных частиц, который образуется в результате гетерогенной нейтрализации медленных ионов при отражении от поверхности плоскопараллельных проводящих пластин. Исследованы скорость травления кремниевых образцов и степень нейтрализации потока. Было показано, что при отражении ионов от поверхности под углом 5° подавляющая часть из них нейтрализуется. При іонно-променевому травленні діелектричних зразків через маску субмікронних розмірів заряд на поверхні спричиняє викривлення траєкторії іонів, що призводить до неможливості одержання дрібніших мікроструктур. У роботі, для сухого травлення, пропонується використовувати пучок нейтральних часток, що утворюється в результаті гетерогенної нейтралізації повільних іонів при їх відбитті від поверхні плоскопаралельних провідних пластин. Досліджено швидкість травлення зразків оксиду кремнію і ступінь нейтралізації потоку. Встановлено, що при відбитті іонів від поверхні під кутом 5° більша частина їх нейтралізується. During ion beam etching of dielectric samples through a mask of submicron size surface charge causes ion trajectory deviation which makes receiving smaller microstructures impossible. In this work beam of neutral particles is proposed as an instrument for dry etching which is formed due to reflection from a set of parallel conductive plates. Degree of neutralization was studied, as well as the energy of the obtained flux. It was shown that during ion reflection at the angle 5° with the surface most of them neutralized. 2006 Article Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик / А.В. Возный, Дж.Ю. Ям, А.Ю. Кропотов, В.И. Фареник // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 97–103. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98787 539.198 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
При ионно-лучевом травлении диэлектрических образцов через маску субмикронных размеров
зарядка поверхности вызывает искривление траектории ионов, что в конечном итоге делает
невозможным получение более мелких микроструктур. В данной работе в качестве инструмента
для сухого травления предлагается использовать пучок нейтральных частиц, который образуется
в результате гетерогенной нейтрализации медленных ионов при отражении от поверхности
плоскопараллельных проводящих пластин. Исследованы скорость травления кремниевых
образцов и степень нейтрализации потока. Было показано, что при отражении ионов от
поверхности под углом 5° подавляющая часть из них нейтрализуется. |
| format |
Article |
| author |
Возный, А.В. Ям, Дж.Ю. Кропотов, А.Ю. Фареник, В.И. |
| spellingShingle |
Возный, А.В. Ям, Дж.Ю. Кропотов, А.Ю. Фареник, В.И. Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Возный, А.В. Ям, Дж.Ю. Кропотов, А.Ю. Фареник, В.И. |
| author_sort |
Возный, А.В. |
| title |
Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик |
| title_short |
Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик |
| title_full |
Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик |
| title_fullStr |
Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик |
| title_full_unstemmed |
Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик |
| title_sort |
формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2006 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98787 |
| citation_txt |
Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик / А.В. Возный, Дж.Ю. Ям, А.Ю. Кропотов, В.И. Фареник // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 97–103. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT voznyjav formirovaniepučkanejtralʹnyhatomovdlâsuhogotravleniâiissledovanieegoharakteristik AT âmdžû formirovaniepučkanejtralʹnyhatomovdlâsuhogotravleniâiissledovanieegoharakteristik AT kropotovaû formirovaniepučkanejtralʹnyhatomovdlâsuhogotravleniâiissledovanieegoharakteristik AT farenikvi formirovaniepučkanejtralʹnyhatomovdlâsuhogotravleniâiissledovanieegoharakteristik |
| first_indexed |
2023-10-18T20:00:31Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:00:31Z |
| _version_ |
1796148507835367424 |