Температурная зависимость плотности поверхностных состояний, определенная с помощью нестационарной емкостной спектроскопии
Проанализирована кинетика процесса перезарядки поверхностных состояний, границы раздела полупроводник-диэлектрик, показано, что экспериментальный сплошной спектр плотности поверхностных состояний (ППС), при низких температурах превращается в дискретный энергетический спектр. Такая температурная за...
Збережено в:
| Видавець: | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98845 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Температурная зависимость плотности поверхностных состояний, определенная с помощью нестационарной емкостной спектроскопии / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 53–58. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Проанализирована кинетика процесса перезарядки поверхностных состояний, границы раздела
полупроводник-диэлектрик, показано, что экспериментальный сплошной спектр плотности
поверхностных состояний (ППС), при низких температурах превращается в дискретный энергетический спектр. Такая температурная зависимость обусловлена тем, что производная по
энергии от вероятности опустошения поверхностных состояний, при низких температурах
превращается в дельта-функцию Дирака. Предложена математическая модель, описывающая
ППС, определенная по нестационарной спектроскопии глубоких уровней. Показано, что численный эксперимент, с использованием экспериментальных значений сплошной ППС, дает
возможность рассчитать дискретный спектр ППС.
Предложенная методика определения низкотемпературной ППС увеличивает разрешающую
способность нестационарной спектроскопии поверхностных уровней и релаксационных
методов измерения энергетического спектра плотности состояний. |
|---|