Температурная зависимость плотности поверхностных состояний, определенная с помощью нестационарной емкостной спектроскопии

• Дата: 2010
• Автори: Гулямов, Г., Шарибаев, Н.Ю.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
• Назва видання: Физическая инженерия поверхности
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98845
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Температурная зависимость плотности поверхностных состояний, определенная с помощью нестационарной емкостной спектроскопии / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 53–58. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Проанализирована кинетика процесса перезарядки поверхностных состояний, границы раздела полупроводник-диэлектрик, показано, что экспериментальный сплошной спектр плотности поверхностных состояний (ППС), при низких температурах превращается в дискретный энергетический спектр. Такая температурная зависимость обусловлена тем, что производная по энергии от вероятности опустошения поверхностных состояний, при низких температурах превращается в дельта-функцию Дирака. Предложена математическая модель, описывающая ППС, определенная по нестационарной спектроскопии глубоких уровней. Показано, что численный эксперимент, с использованием экспериментальных значений сплошной ППС, дает возможность рассчитать дискретный спектр ППС. Предложенная методика определения низкотемпературной ППС увеличивает разрешающую способность нестационарной спектроскопии поверхностных уровней и релаксационных методов измерения энергетического спектра плотности состояний.