Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур
В работе описаны результаты разработки нового неразрушающего метода измерения глубины залегания р-n-перехода в структурах, предназначенных для изготовления фотоэлектрических приборов. Предложенный метод позволяет использовать более простые технические средства, по сравнению с традиционными метода...
Збережено в:
| Видавець: | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98867 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур / Р. Алиев, Э. Мухтаров, Л. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 169–172. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-98867 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-988672016-04-19T03:02:26Z Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур Алиев, Р. Мухтаров, Э. Олимов, Л. В работе описаны результаты разработки нового неразрушающего метода измерения глубины залегания р-n-перехода в структурах, предназначенных для изготовления фотоэлектрических приборов. Предложенный метод позволяет использовать более простые технические средства, по сравнению с традиционными методами, исключает громоздкие математические вычисления, сокращает длительность и упрощает процесс измерения. У роботі описані результати розробки нового неруйнівного методу виміру глибини залягання р-n-переходу в структурах, призначених для виготовлення фотоелектричних приладів. Запропонований метод дозволяє використовувати більш прості технічні засоби, у порівнянні із традиційними методами, виключає громіздкі математичні обчислення, скорочує тривалість і спрощує процес виміру. This paper describes the results of a new nondestructive method for measuring the depth of the p-njunction in the structures for the manufacture of photovoltaic devices. The proposed method allows the use of simple technical means, as compared with traditional methods, eliminates the cumbersome mathematical calculations, shortens and simplifies the process of measurement. 2010 Article Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур / Р. Алиев, Э. Мухтаров, Л. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 169–172. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 1999-8074 PACS: 42.70.Nq, 61.82.Fk, 78.40.Fy, 78.55.Ap, 68.47.Fg, 71.20.Mq, 78.40.Fy, 82.53.Mj http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98867 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
В работе описаны результаты разработки нового неразрушающего метода измерения глубины
залегания р-n-перехода в структурах, предназначенных для изготовления фотоэлектрических
приборов. Предложенный метод позволяет использовать более простые технические средства,
по сравнению с традиционными методами, исключает громоздкие математические вычисления,
сокращает длительность и упрощает процесс измерения. |
| format |
Article |
| author |
Алиев, Р. Мухтаров, Э. Олимов, Л. |
| spellingShingle |
Алиев, Р. Мухтаров, Э. Олимов, Л. Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Алиев, Р. Мухтаров, Э. Олимов, Л. |
| author_sort |
Алиев, Р. |
| title |
Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур |
| title_short |
Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур |
| title_full |
Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур |
| title_fullStr |
Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур |
| title_full_unstemmed |
Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур |
| title_sort |
неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2010 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98867 |
| citation_txt |
Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур / Р. Алиев, Э. Мухтаров, Л. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 169–172. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT alievr nerazrušaûŝijmetodizmereniâglubinyzaleganiâpnperehodapoluprovodnikovyhfotoélektričeskihstruktur AT muhtarové nerazrušaûŝijmetodizmereniâglubinyzaleganiâpnperehodapoluprovodnikovyhfotoélektričeskihstruktur AT olimovl nerazrušaûŝijmetodizmereniâglubinyzaleganiâpnperehodapoluprovodnikovyhfotoélektričeskihstruktur |
| first_indexed |
2023-10-18T20:00:42Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:00:42Z |
| _version_ |
1796148516346658816 |