2025-02-23T21:38:05-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98867%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T21:38:05-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98867%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T21:38:05-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T21:38:05-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур

Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур

В работе описаны результаты разработки нового неразрушающего метода измерения глубины залегания р-n-перехода в структурах, предназначенных для изготовления фотоэлектрических приборов. Предложенный метод позволяет использовать более простые технические средства, по сравнению с традиционными метода...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Алиев, Р., Мухтаров, Э., Олимов, Л.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Series:Физическая инженерия поверхности
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98867
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-98867
record_format dspace
spelling irk-123456789-988672016-04-19T03:02:26Z Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур Алиев, Р. Мухтаров, Э. Олимов, Л. В работе описаны результаты разработки нового неразрушающего метода измерения глубины залегания р-n-перехода в структурах, предназначенных для изготовления фотоэлектрических приборов. Предложенный метод позволяет использовать более простые технические средства, по сравнению с традиционными методами, исключает громоздкие математические вычисления, сокращает длительность и упрощает процесс измерения. У роботі описані результати розробки нового неруйнівного методу виміру глибини залягання р-n-переходу в структурах, призначених для виготовлення фотоелектричних приладів. Запропонований метод дозволяє використовувати більш прості технічні засоби, у порівнянні із традиційними методами, виключає громіздкі математичні обчислення, скорочує тривалість і спрощує процес виміру. This paper describes the results of a new nondestructive method for measuring the depth of the p-njunction in the structures for the manufacture of photovoltaic devices. The proposed method allows the use of simple technical means, as compared with traditional methods, eliminates the cumbersome mathematical calculations, shortens and simplifies the process of measurement. 2010 Article Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур / Р. Алиев, Э. Мухтаров, Л. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 169–172. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 1999-8074 PACS: 42.70.Nq, 61.82.Fk, 78.40.Fy, 78.55.Ap, 68.47.Fg, 71.20.Mq, 78.40.Fy, 82.53.Mj http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98867 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description В работе описаны результаты разработки нового неразрушающего метода измерения глубины залегания р-n-перехода в структурах, предназначенных для изготовления фотоэлектрических приборов. Предложенный метод позволяет использовать более простые технические средства, по сравнению с традиционными методами, исключает громоздкие математические вычисления, сокращает длительность и упрощает процесс измерения.
format Article
author Алиев, Р.
Мухтаров, Э.
Олимов, Л.
spellingShingle Алиев, Р.
Мухтаров, Э.
Олимов, Л.
Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур
Физическая инженерия поверхности
author_facet Алиев, Р.
Мухтаров, Э.
Олимов, Л.
author_sort Алиев, Р.
title Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур
title_short Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур
title_full Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур
title_fullStr Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур
title_full_unstemmed Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур
title_sort неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2010
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98867
citation_txt Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур / Р. Алиев, Э. Мухтаров, Л. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 169–172. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT alievr nerazrušaûŝijmetodizmereniâglubinyzaleganiâpnperehodapoluprovodnikovyhfotoélektričeskihstruktur
AT muhtarové nerazrušaûŝijmetodizmereniâglubinyzaleganiâpnperehodapoluprovodnikovyhfotoélektričeskihstruktur
AT olimovl nerazrušaûŝijmetodizmereniâglubinyzaleganiâpnperehodapoluprovodnikovyhfotoélektričeskihstruktur
first_indexed 2023-10-18T20:00:42Z
last_indexed 2023-10-18T20:00:42Z
_version_ 1796148516346658816

Similar Items