2025-02-23T21:25:45-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98867%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T21:25:45-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98867%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T21:25:45-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T21:25:45-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур

Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур

В работе описаны результаты разработки нового неразрушающего метода измерения глубины залегания р-n-перехода в структурах, предназначенных для изготовления фотоэлектрических приборов. Предложенный метод позволяет использовать более простые технические средства, по сравнению с традиционными метода...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Алиев, Р., Мухтаров, Э., Олимов, Л.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Series:Физическая инженерия поверхности
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98867
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Similar Items

2025-02-23T21:25:45-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98867%22&qt=morelikethis
2025-02-23T21:25:45-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98867%22&qt=morelikethis
2025-02-23T21:25:45-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T21:25:45-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Similar Items