Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film

• Видавець: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
• Дата: 2010
• Автори: Tabatadze, I.G., Jabua, Z.U., Gigineisvili, A.V., Kupreisvili, I.L.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
• Назва видання: Физическая инженерия поверхности
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98913
• Цитувати: Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film / I.G. Tabatadze, Z.U. Jabua, A.V. Gigineisvili, I.L. Kupreisvili // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 333–335. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

A process is described for the growth of thin crystalline TbS films ranging in thickness from 0,3 to 1,8 µm by flash vacuum thermal evaporation from preliminary synthesed bulk crystal of TbS. The films was grown on glass-ceramic, fused silica, sapphire and (111) single-crystal silicon. Thin film...