2025-02-22T16:49:09-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98913%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T16:49:09-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98913%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T16:49:09-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T16:49:09-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film

Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film

A process is described for the growth of thin crystalline TbS films ranging in thickness from 0,3 to 1,8 µm by flash vacuum thermal evaporation from preliminary synthesed bulk crystal of TbS. The films was grown on glass-ceramic, fused silica, sapphire and (111) single-crystal silicon. Thin film...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Tabatadze, I.G., Jabua, Z.U., Gigineisvili, A.V., Kupreisvili, I.L.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Series:Физическая инженерия поверхности
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98913
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-98913
record_format dspace
spelling irk-123456789-989132016-04-20T03:02:04Z Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film Tabatadze, I.G. Jabua, Z.U. Gigineisvili, A.V. Kupreisvili, I.L. A process is described for the growth of thin crystalline TbS films ranging in thickness from 0,3 to 1,8 µm by flash vacuum thermal evaporation from preliminary synthesed bulk crystal of TbS. The films was grown on glass-ceramic, fused silica, sapphire and (111) single-crystal silicon. Thin films had cubic crystal structure (NaCl structure type) with lattice parameters a = 5,52 Å. Разработана технология приготовления тонких кристаллических плёнок толщиной 0,3–1,8 мкм методом взрывного вакуумно- термического испарения предварительно синтезированного объемного кристалла TbS. Подложками служили пластины из ситала, кварца, сапфира и монокристаллического кремния с ориентацией (111). Плёнки имели кубическую решётку (структурный тип NaCl) с параметром решётки a = 5,52 Å.. Розроблено технологію готування тонких кристалічних плівок товщиною 0,3 – 1,8 мкм методом вибухового вакуумно-термічного випару попередньо синтезованого об’ємного кристала TbS. Підкладинками слугували пластини із ситалу, кварцу, сапфіра й монокристалічного кремнію з орієнтацією (111). Плівки мали кубічні ґрати (структурний тип NaCl) з параметром ґрат a = 5,52 Å. 2010 Article Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film / I.G. Tabatadze, Z.U. Jabua, A.V. Gigineisvili, I.L. Kupreisvili // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 333–335. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98913 546.65:537.226 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description A process is described for the growth of thin crystalline TbS films ranging in thickness from 0,3 to 1,8 µm by flash vacuum thermal evaporation from preliminary synthesed bulk crystal of TbS. The films was grown on glass-ceramic, fused silica, sapphire and (111) single-crystal silicon. Thin films had cubic crystal structure (NaCl structure type) with lattice parameters a = 5,52 Å.
format Article
author Tabatadze, I.G.
Jabua, Z.U.
Gigineisvili, A.V.
Kupreisvili, I.L.
spellingShingle Tabatadze, I.G.
Jabua, Z.U.
Gigineisvili, A.V.
Kupreisvili, I.L.
Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film
Физическая инженерия поверхности
author_facet Tabatadze, I.G.
Jabua, Z.U.
Gigineisvili, A.V.
Kupreisvili, I.L.
author_sort Tabatadze, I.G.
title Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film
title_short Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film
title_full Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film
title_fullStr Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film
title_full_unstemmed Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film
title_sort preparation of terbium monosulfide thin crystalline film
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2010
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98913
citation_txt Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film / I.G. Tabatadze, Z.U. Jabua, A.V. Gigineisvili, I.L. Kupreisvili // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 333–335. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT tabatadzeig preparationofterbiummonosulfidethincrystallinefilm
AT jabuazu preparationofterbiummonosulfidethincrystallinefilm
AT gigineisviliav preparationofterbiummonosulfidethincrystallinefilm
AT kupreisviliil preparationofterbiummonosulfidethincrystallinefilm
first_indexed 2023-10-18T20:00:47Z
last_indexed 2023-10-18T20:00:47Z
_version_ 1796148520070152192

Similar Items