Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film
A process is described for the growth of thin crystalline TbS films ranging in thickness from 0,3 to 1,8 µm by flash vacuum thermal evaporation from preliminary synthesed bulk crystal of TbS. The films was grown on glass-ceramic, fused silica, sapphire and (111) single-crystal silicon. Thin film...
Збережено в:
| Видавець: | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98913 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film / I.G. Tabatadze, Z.U. Jabua, A.V. Gigineisvili, I.L. Kupreisvili // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 333–335. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-98913 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-989132016-04-20T03:02:04Z Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film Tabatadze, I.G. Jabua, Z.U. Gigineisvili, A.V. Kupreisvili, I.L. A process is described for the growth of thin crystalline TbS films ranging in thickness from 0,3 to 1,8 µm by flash vacuum thermal evaporation from preliminary synthesed bulk crystal of TbS. The films was grown on glass-ceramic, fused silica, sapphire and (111) single-crystal silicon. Thin films had cubic crystal structure (NaCl structure type) with lattice parameters a = 5,52 Å. Разработана технология приготовления тонких кристаллических плёнок толщиной 0,3–1,8 мкм методом взрывного вакуумно- термического испарения предварительно синтезированного объемного кристалла TbS. Подложками служили пластины из ситала, кварца, сапфира и монокристаллического кремния с ориентацией (111). Плёнки имели кубическую решётку (структурный тип NaCl) с параметром решётки a = 5,52 Å.. Розроблено технологію готування тонких кристалічних плівок товщиною 0,3 – 1,8 мкм методом вибухового вакуумно-термічного випару попередньо синтезованого об’ємного кристала TbS. Підкладинками слугували пластини із ситалу, кварцу, сапфіра й монокристалічного кремнію з орієнтацією (111). Плівки мали кубічні ґрати (структурний тип NaCl) з параметром ґрат a = 5,52 Å. 2010 Article Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film / I.G. Tabatadze, Z.U. Jabua, A.V. Gigineisvili, I.L. Kupreisvili // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 333–335. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98913 546.65:537.226 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
A process is described for the growth of thin crystalline TbS films ranging in thickness from 0,3 to
1,8 µm by flash vacuum thermal evaporation from preliminary synthesed bulk crystal of TbS. The
films was grown on glass-ceramic, fused silica, sapphire and (111) single-crystal silicon. Thin films
had cubic crystal structure (NaCl structure type) with lattice parameters a = 5,52 Å. |
| format |
Article |
| author |
Tabatadze, I.G. Jabua, Z.U. Gigineisvili, A.V. Kupreisvili, I.L. |
| spellingShingle |
Tabatadze, I.G. Jabua, Z.U. Gigineisvili, A.V. Kupreisvili, I.L. Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Tabatadze, I.G. Jabua, Z.U. Gigineisvili, A.V. Kupreisvili, I.L. |
| author_sort |
Tabatadze, I.G. |
| title |
Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film |
| title_short |
Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film |
| title_full |
Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film |
| title_fullStr |
Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film |
| title_full_unstemmed |
Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film |
| title_sort |
preparation of terbium monosulfide thin crystalline film |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2010 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98913 |
| citation_txt |
Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film / I.G. Tabatadze, Z.U. Jabua, A.V. Gigineisvili, I.L. Kupreisvili // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 333–335. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT tabatadzeig preparationofterbiummonosulfidethincrystallinefilm AT jabuazu preparationofterbiummonosulfidethincrystallinefilm AT gigineisviliav preparationofterbiummonosulfidethincrystallinefilm AT kupreisviliil preparationofterbiummonosulfidethincrystallinefilm |
| first_indexed |
2023-10-18T20:00:47Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:00:47Z |
| _version_ |
1796148520070152192 |