Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо

Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо

В данной работе исследован промежуточный слой в структуре барьера Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазный анализ и фотоэлектрический метод исследования показали, что промежуточный слой между Al и pCdTe достаточно сложен по составу. В нем имеются все три α-β-γ модификации Al₂O₃ и тонкий слой композитного...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Дата:2012
Автори: Мирсагатов, Ш.А., Музафарова, С.А., Ачилов, А.С., Мовлонов, А.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98933
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо / Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова, А.С. Ачилов, А.А. Мовлонов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 78–84. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-98933
record_format dspace
spelling irk-123456789-989332016-04-20T03:02:31Z Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо Мирсагатов, Ш.А. Музафарова, С.А. Ачилов, А.С. Мовлонов, А.А. В данной работе исследован промежуточный слой в структуре барьера Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазный анализ и фотоэлектрический метод исследования показали, что промежуточный слой между Al и pCdTe достаточно сложен по составу. В нем имеются все три α-β-γ модификации Al₂O₃ и тонкий слой композитного материала c составом (С60)1-x-(СdTe)x с x ≥ 0.5. Общая толщина промежуточного слоя согласно емкостным и рентгеноструктурным измерениям составляет не более ~200 Å. Показано, что в структуре Al-pCdTe базовый материал, в основном, состоит из однородного слоя CdTe кубической модификации. У даній роботі досліджений проміжний шар у структурі бар’єра Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазний аналіз і фотоелектричний метод дослідження показали, що проміжний шар між Al і pCdTe досить складний за складом. У ньому є всі три α-β-γ модифікації Al₂O₃ і тонкий шар композитного матеріалу із складом (С60)1-x-(СdTe)x з x і 0.5. Загальна товщина проміжного шару відповідно до ємнісних і рентгеноструктурних вимірів становить не більше ~200 Å. Показано, що в структурі Al-pCdTe базовий матеріал, в основному, складається з однорідного шару CdTe кубічної модифікації. In the given work the intermediate layer in structure of barrier Шоттки Al-pCdTe is investigated. Рентгенофазный the analysis and a photo-electric method of research have shown, that the intermediate layer between Al and pCdTe is combined enough on structure. In it there are all three α-β-γ updatings Al₂O₃ and a thin layer of a composit material c structure (С60)1-х-(СdTe)x with x ≥ 0.5. The general thickness of an intermediate layer according to capacitor and roentgenostructuring to measurements makes no more than ∼200 Å. It is shown, that in structure Al-pCdTe a base material, basically, consists of homogeneous layer CdTe of cubic updating. 2012 Article Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо / Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова, А.С. Ачилов, А.А. Мовлонов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 78–84. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98933 53.043;53.023;539.234. ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description В данной работе исследован промежуточный слой в структуре барьера Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазный анализ и фотоэлектрический метод исследования показали, что промежуточный слой между Al и pCdTe достаточно сложен по составу. В нем имеются все три α-β-γ модификации Al₂O₃ и тонкий слой композитного материала c составом (С60)1-x-(СdTe)x с x ≥ 0.5. Общая толщина промежуточного слоя согласно емкостным и рентгеноструктурным измерениям составляет не более ~200 Å. Показано, что в структуре Al-pCdTe базовый материал, в основном, состоит из однородного слоя CdTe кубической модификации.
format Article
author Мирсагатов, Ш.А.
Музафарова, С.А.
Ачилов, А.С.
Мовлонов, А.А.
spellingShingle Мирсагатов, Ш.А.
Музафарова, С.А.
Ачилов, А.С.
Мовлонов, А.А.
Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
Физическая инженерия поверхности
author_facet Мирсагатов, Ш.А.
Музафарова, С.А.
Ачилов, А.С.
Мовлонов, А.А.
author_sort Мирсагатов, Ш.А.
title Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
title_short Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
title_full Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
title_fullStr Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
title_full_unstemmed Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
title_sort исследование промежуточных слоёв диода с барьером шоттки al-pcdte-мо
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2012
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98933
citation_txt Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо / Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова, А.С. Ачилов, А.А. Мовлонов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 78–84. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT mirsagatovša issledovaniepromežutočnyhsloëvdiodasbarʹeromšottkialpcdtemo
AT muzafarovasa issledovaniepromežutočnyhsloëvdiodasbarʹeromšottkialpcdtemo
AT ačilovas issledovaniepromežutočnyhsloëvdiodasbarʹeromšottkialpcdtemo
AT movlonovaa issledovaniepromežutočnyhsloëvdiodasbarʹeromšottkialpcdtemo
first_indexed 2023-10-18T20:00:50Z
last_indexed 2023-10-18T20:00:50Z
_version_ 1796148522195615744

Схожі ресурси