2025-02-23T16:07:57-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98962%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T16:07:57-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98962%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T16:07:57-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T16:07:57-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний

Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний

Исследовано влияние температурного уширения энергетических состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Моделированием процесса теплового уширения, численным анализом установлено, что коэффициент температурного изменения ширины запрещенной зоны зависит от энергети...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Гулямов, Г., Шарибаев, Н.Ю.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
Series:Физическая инженерия поверхности
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98962
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Исследовано влияние температурного уширения энергетических состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Моделированием процесса теплового уширения, численным анализом установлено, что коэффициент температурного изменения ширины запрещенной зоны зависит от энергетической плотности состояний и присутствия дискретных уровней в запрещенной зоне. Результаты расчетов хорошо согласуются с экспериментальными данными.

Similar Items