Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний
Исследовано влияние температурного уширения энергетических состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Моделированием процесса теплового уширения, численным анализом установлено, что коэффициент температурного изменения ширины запрещенной зоны зависит от энергети...
Збережено в:
| Видавець: | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98962 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 221–225. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-98962 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-989622016-04-20T03:02:16Z Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. Исследовано влияние температурного уширения энергетических состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Моделированием процесса теплового уширения, численным анализом установлено, что коэффициент температурного изменения ширины запрещенной зоны зависит от энергетической плотности состояний и присутствия дискретных уровней в запрещенной зоне. Результаты расчетов хорошо согласуются с экспериментальными данными. Досліджено вплив температурного розширення енергетичних станів на температурну залежність ширини забороненої зони напівпровідника. Моделюванням процесу теплового розширення, числовим аналізом установлено, що коефіцієнт температурного змінювання ширини забороненої зони залежить від енергетичної щільності станів і присутності дискретних рівнів у забороненій зоні. Результати розрахунків добре погоджуються з експериментальними даними. The effect of thermal broadening of energy states in the temperature dependence of the band gap of the semiconductor. Simulation of the thermal broadening, the numerical analysis showed that the rate of temperature change in the band gap depends on the energy density of states and the presence of discrete levels in the forbidden zone. The calculation results are in good agreement with experimental data. 2012 Article Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 221–225. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98962 539.21: 621.315.592 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Исследовано влияние температурного уширения энергетических состояний на температурную
зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Моделированием процесса теплового
уширения, численным анализом установлено, что коэффициент температурного изменения ширины запрещенной зоны зависит от энергетической плотности состояний и присутствия дискретных уровней в запрещенной зоне. Результаты расчетов хорошо согласуются с экспериментальными данными. |
| format |
Article |
| author |
Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. |
| spellingShingle |
Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. |
| author_sort |
Гулямов, Г. |
| title |
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний |
| title_short |
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний |
| title_full |
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний |
| title_fullStr |
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний |
| title_full_unstemmed |
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний |
| title_sort |
температурная зависимость ширины запрещенной зоны si и связь с тепловым уширением плотности состояний |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2012 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98962 |
| citation_txt |
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 221–225. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT gulâmovg temperaturnaâzavisimostʹširinyzapreŝennojzonysiisvâzʹsteplovymušireniemplotnostisostoânij AT šaribaevnû temperaturnaâzavisimostʹširinyzapreŝennojzonysiisvâzʹsteplovymušireniemplotnostisostoânij |
| first_indexed |
2023-10-18T20:00:52Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:00:52Z |
| _version_ |
1796148524315836416 |