Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний
Исследовано влияние температурного уширения энергетических состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Моделированием процесса теплового уширения, численным анализом установлено, что коэффициент температурного изменения ширины запрещенной зоны зависит от энергети...
Збережено в:
Видавець: | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
---|---|
Дата: | 2012 |
Автори: | , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98962 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 221–225. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |