2025-02-24T00:34:13-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98963%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T00:34:13-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98963%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T00:34:13-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-24T00:34:13-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Фототранзистор составной на полевых транзисторах

Фототранзистор составной на полевых транзисторах

Экспериментально установлено, что в составном полевом транзисторе, где сток первого транзистора соединен со стоком второго транзистора, а исток присоединен к затвору с последовательно соединенным резистором, при освещении канала стокового транзистора ток инжекции через переход затвора увеличивается...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Каманов, Б.М., Гиясова, Ф.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
Series:Физическая инженерия поверхности
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98963
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-98963
record_format dspace
spelling irk-123456789-989632016-04-20T03:02:39Z Фототранзистор составной на полевых транзисторах Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Каманов, Б.М. Гиясова, Ф.А. Экспериментально установлено, что в составном полевом транзисторе, где сток первого транзистора соединен со стоком второго транзистора, а исток присоединен к затвору с последовательно соединенным резистором, при освещении канала стокового транзистора ток инжекции через переход затвора увеличивается за счет генерированных фотоносителей, что и приводит к увеличению тока стока. В случае возбуждения затворного транзистора фотогенерированные в p-n-переходе затвора неосновные носители приводят к падению напряжения на резисторе. В результате осуществляется добавка напряжения к затвору стокового транзистора, что приводит к уменьшению тока стока. Такой составной полевой транзистор может быть использован в оптических переключателях. Експериментально встановлено, що в складеному польовому транзисторі, де стік першого транзистора з’єднаний зі стоком другого транзистора, а джерело приєднане до затвору з послідовно з’єднаним резистором, при освітленні каналу стокового транзистора струм інжекції через перехід затвора збільшується за рахунок генерованих фотоносіїв, що й призводить до збільшення струму стоку. У випадку порушення затворного транзистора фотогенеровані в p-n-переході затвору неосновні носії призводять до спадання напруги на резисторі. У результатіздійснюється додання напруги до затвору стокового транзистора, що призводить до зменшення струму стоку. Такий складений польовий транзистор може бути використаний в оптичних перемикачах. Experimentally is established that in the compound field-effect transistor, where the drain of the first transistor is connected to the drain of the second transistor, a source is connected to the gate with a resistor which is connected in series, in light of the transistor channel injection current through the gate junction increases due to the generated photocarriers, which leads to an increase in drain current. In the case of excitation of the gate transistor photogenerated in the p-n-junction minority carriers leads to a voltage drop across the resistor. In the result a voltage is added to the gate of the transistor in the drain, which reduces the drain current. Such a compound field-effect transistor can be used in optical switches. 2012 Article Фототранзистор составной на полевых транзисторах / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, Б.М. Каманов, Ф.А. Гиясова // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 226–229. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98963 621.383.52:535.243 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Экспериментально установлено, что в составном полевом транзисторе, где сток первого транзистора соединен со стоком второго транзистора, а исток присоединен к затвору с последовательно соединенным резистором, при освещении канала стокового транзистора ток инжекции через переход затвора увеличивается за счет генерированных фотоносителей, что и приводит к увеличению тока стока. В случае возбуждения затворного транзистора фотогенерированные в p-n-переходе затвора неосновные носители приводят к падению напряжения на резисторе. В результате осуществляется добавка напряжения к затвору стокового транзистора, что приводит к уменьшению тока стока. Такой составной полевой транзистор может быть использован в оптических переключателях.
format Article
author Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М.
Абдулхаев, О.А.
Каманов, Б.М.
Гиясова, Ф.А.
spellingShingle Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М.
Абдулхаев, О.А.
Каманов, Б.М.
Гиясова, Ф.А.
Фототранзистор составной на полевых транзисторах
Физическая инженерия поверхности
author_facet Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М.
Абдулхаев, О.А.
Каманов, Б.М.
Гиясова, Ф.А.
author_sort Каримов, А.В.
title Фототранзистор составной на полевых транзисторах
title_short Фототранзистор составной на полевых транзисторах
title_full Фототранзистор составной на полевых транзисторах
title_fullStr Фототранзистор составной на полевых транзисторах
title_full_unstemmed Фототранзистор составной на полевых транзисторах
title_sort фототранзистор составной на полевых транзисторах
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2012
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98963
citation_txt Фототранзистор составной на полевых транзисторах / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, Б.М. Каманов, Ф.А. Гиясова // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 226–229. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT karimovav fototranzistorsostavnojnapolevyhtranzistorah
AT ëdgorovadm fototranzistorsostavnojnapolevyhtranzistorah
AT abdulhaevoa fototranzistorsostavnojnapolevyhtranzistorah
AT kamanovbm fototranzistorsostavnojnapolevyhtranzistorah
AT giâsovafa fototranzistorsostavnojnapolevyhtranzistorah
first_indexed 2023-10-18T20:00:53Z
last_indexed 2023-10-18T20:00:53Z
_version_ 1796148524421742592

Similar Items