2025-02-23T22:12:42-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98964%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T22:12:42-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98964%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T22:12:42-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T22:12:42-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения

Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения

Проведены исследования функциональных характеристик полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах и схемах включения. Экспериментально установлено, что максимальные значения токов стока при соединении двух транзисторов от интенсивности излучения изменяются по квадратичному з...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Абдулхаев, О.А., Гиясова, Ф.А., Ёдгорова, Д.М., Каманов, Б.М., Каримов, А.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
Series:Физическая инженерия поверхности
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98964
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Проведены исследования функциональных характеристик полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах и схемах включения. Экспериментально установлено, что максимальные значения токов стока при соединении двух транзисторов от интенсивности излучения изменяются по квадратичному закону, а фоточувствительность становится больше по сравнению с дискретной структурой. При этом максимальные значения токов стока соответствующие световым токам дискретных транзисторов от прямосмещающего напряжения изменяются по квадратичному закону и являются продолжением темновой передаточной характеристики, что делает возможным их использование в качестве фотоприемников в электронных схемах. В последовательно соединенных полевых транзисторах модулируемый переход, как и в двухбарьерных структурах, управляет параметрами второго перехода за счет перераспределения напряжения приложенного от внешнего источника питания.

Similar Items