Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника

• Дата: 2013
• Автори: Мирсагатов, Ш.А., Атабоев, О.К., Заверюхин, Б.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
• Назва видання: Физическая инженерия поверхности
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99816
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника / Ш.А. Мирсагатов, О.К. Атабоев, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 122–128. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

На основе соединений A²B⁶ создана пленочная In-n⁺(CdS)-n(CdSx Te1-x)-p(Znx Cd1-xTe)-Mo-структура фоточувствительная в диапазоне длин волн λ = 0,49–0,855 мкм при комнатных температурах. Новизной в устройстве является наличие твердых растворов соединений A²B⁶, что позволяет расширить диапазон спектральной чувствительности. При пропускном направлении тока (когда положительный потенциал “+V” приложен к Мо-контакту) структура ведет себя как фотоприемник с инверсией знака фототока I(λ) способного без помех эффективно регистрировать длины волн видимой области спектра. При обратных направлениях фототока структура работает в режиме внутреннего усиления первичного фототока и представляет собой основу для создания инжекционного фотоприемника с высокой спектральной фоточувствительностью в видимой области спектра. Выявлены механизмы усиления и инверсии фототока.