Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника

На основе соединений A²B⁶ создана пленочная In-n⁺(CdS)-n(CdSx Te1-x)-p(Znx Cd1-xTe)-Mo-структура фоточувствительная в диапазоне длин волн λ = 0,49–0,855 мкм при комнатных температурах. Новизной в устройстве является наличие твердых растворов соединений A²B⁶, что позволяет расширить диапазон...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Дата:2013
Автори: Мирсагатов, Ш.А., Атабоев, О.К., Заверюхин, Б.Н.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99816
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника / Ш.А. Мирсагатов, О.К. Атабоев, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 122–128. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-99816
record_format dspace
spelling irk-123456789-998162016-05-04T03:02:19Z Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника Мирсагатов, Ш.А. Атабоев, О.К. Заверюхин, Б.Н. На основе соединений A²B⁶ создана пленочная In-n⁺(CdS)-n(CdSx Te1-x)-p(Znx Cd1-xTe)-Mo-структура фоточувствительная в диапазоне длин волн λ = 0,49–0,855 мкм при комнатных температурах. Новизной в устройстве является наличие твердых растворов соединений A²B⁶, что позволяет расширить диапазон спектральной чувствительности. При пропускном направлении тока (когда положительный потенциал “+V” приложен к Мо-контакту) структура ведет себя как фотоприемник с инверсией знака фототока I(λ) способного без помех эффективно регистрировать длины волн видимой области спектра. При обратных направлениях фототока структура работает в режиме внутреннего усиления первичного фототока и представляет собой основу для создания инжекционного фотоприемника с высокой спектральной фоточувствительностью в видимой области спектра. Выявлены механизмы усиления и инверсии фототока. На основіз’єднань A²B⁶ створена плівкова Іn-n⁺ (CdS)-n(CdSx Te1-x)-p(Znx Cd1-xTe)-Mo-структура фоточутлива в діапазоні довжин хвиль λ = 0,49-0,855 напівтемних при кімнатних температурах. Новизною в пристрої є наявність твердих розчинів з’єднань A²B⁶, що дозволяє розширити діапазон спектральної чутливості. При пропускному напрямку струму (коли позитивний потенціал “+V” прикладений до Мо-контакту) структура поводиться як фотоприймач із інверсією знака фотоструму I(λ) здатного без перешкод ефективно реєструвати довжини хвиль видимої області спектра. При зворотних напрямках фотоструму структура працює в режимі внутрішнього посилення первинного фотоструму і являє собою основу для створення инжекционного фотоприймача з високою спектральною фоточутливістю у видимій області спектра. Виявлено механізми посилення й інверсії фотоструму. Photosensitive film structure of A²B⁶ compounds In-n⁺(CdS)-n(CdSx Te1-x)-p(Znx Cd1-xTe)-Mois created for wave range λ = 0,49-0,855 јm and for work at room temperatures. Novelty of the de-vice is presence of solid solutions A²B⁶, that allows to expand its spectral sensitivity range. The structure behaves as the photoreceivers with inversion of mark of photocurrent I(λ) if positive potential “+V” is enclosed to Мо- to contact. The inversion structure capable effectively to register without handicapes different waves of the visible spectral range. The structure increases a primary photocurrent at reverse bias, when potential “−V” is applied to Mo- contact. In this case the structure is a basis for creation of injection photoreceiver, which has high spectral photosensitivity in the visible spectral range. 2013 Article Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника / Ш.А. Мирсагатов, О.К. Атабоев, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 122–128. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99816 53.043;53.023;539.234 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description На основе соединений A²B⁶ создана пленочная In-n⁺(CdS)-n(CdSx Te1-x)-p(Znx Cd1-xTe)-Mo-структура фоточувствительная в диапазоне длин волн λ = 0,49–0,855 мкм при комнатных температурах. Новизной в устройстве является наличие твердых растворов соединений A²B⁶, что позволяет расширить диапазон спектральной чувствительности. При пропускном направлении тока (когда положительный потенциал “+V” приложен к Мо-контакту) структура ведет себя как фотоприемник с инверсией знака фототока I(λ) способного без помех эффективно регистрировать длины волн видимой области спектра. При обратных направлениях фототока структура работает в режиме внутреннего усиления первичного фототока и представляет собой основу для создания инжекционного фотоприемника с высокой спектральной фоточувствительностью в видимой области спектра. Выявлены механизмы усиления и инверсии фототока.
format Article
author Мирсагатов, Ш.А.
Атабоев, О.К.
Заверюхин, Б.Н.
spellingShingle Мирсагатов, Ш.А.
Атабоев, О.К.
Заверюхин, Б.Н.
Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника
Физическая инженерия поверхности
author_facet Мирсагатов, Ш.А.
Атабоев, О.К.
Заверюхин, Б.Н.
author_sort Мирсагатов, Ш.А.
title Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника
title_short Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника
title_full Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника
title_fullStr Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника
title_full_unstemmed Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника
title_sort спектральные свойства м-n⁺cds-ncdsхte1-х-pznхcd1-хte-mо-структуры для инжекционного фотоприемника
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2013
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99816
citation_txt Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника / Ш.А. Мирсагатов, О.К. Атабоев, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 122–128. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT mirsagatovša spektralʹnyesvojstvamncdsncdshte1hpznhcd1htemostrukturydlâinžekcionnogofotopriemnika
AT ataboevok spektralʹnyesvojstvamncdsncdshte1hpznhcd1htemostrukturydlâinžekcionnogofotopriemnika
AT zaverûhinbn spektralʹnyesvojstvamncdsncdshte1hpznhcd1htemostrukturydlâinžekcionnogofotopriemnika
first_indexed 2023-10-18T20:02:58Z
last_indexed 2023-10-18T20:02:58Z
_version_ 1796148610008612864