Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника
На основе соединений A²B⁶ создана пленочная In-n⁺(CdS)-n(CdSx Te1-x)-p(Znx Cd1-xTe)-Mo-структура фоточувствительная в диапазоне длин волн λ = 0,49–0,855 мкм при комнатных температурах. Новизной в устройстве является наличие твердых растворов соединений A²B⁶, что позволяет расширить диапазон...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99816 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника / Ш.А. Мирсагатов, О.К. Атабоев, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 122–128. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-99816 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-998162016-05-04T03:02:19Z Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника Мирсагатов, Ш.А. Атабоев, О.К. Заверюхин, Б.Н. На основе соединений A²B⁶ создана пленочная In-n⁺(CdS)-n(CdSx Te1-x)-p(Znx Cd1-xTe)-Mo-структура фоточувствительная в диапазоне длин волн λ = 0,49–0,855 мкм при комнатных температурах. Новизной в устройстве является наличие твердых растворов соединений A²B⁶, что позволяет расширить диапазон спектральной чувствительности. При пропускном направлении тока (когда положительный потенциал “+V” приложен к Мо-контакту) структура ведет себя как фотоприемник с инверсией знака фототока I(λ) способного без помех эффективно регистрировать длины волн видимой области спектра. При обратных направлениях фототока структура работает в режиме внутреннего усиления первичного фототока и представляет собой основу для создания инжекционного фотоприемника с высокой спектральной фоточувствительностью в видимой области спектра. Выявлены механизмы усиления и инверсии фототока. На основіз’єднань A²B⁶ створена плівкова Іn-n⁺ (CdS)-n(CdSx Te1-x)-p(Znx Cd1-xTe)-Mo-структура фоточутлива в діапазоні довжин хвиль λ = 0,49-0,855 напівтемних при кімнатних температурах. Новизною в пристрої є наявність твердих розчинів з’єднань A²B⁶, що дозволяє розширити діапазон спектральної чутливості. При пропускному напрямку струму (коли позитивний потенціал “+V” прикладений до Мо-контакту) структура поводиться як фотоприймач із інверсією знака фотоструму I(λ) здатного без перешкод ефективно реєструвати довжини хвиль видимої області спектра. При зворотних напрямках фотоструму структура працює в режимі внутрішнього посилення первинного фотоструму і являє собою основу для створення инжекционного фотоприймача з високою спектральною фоточутливістю у видимій області спектра. Виявлено механізми посилення й інверсії фотоструму. Photosensitive film structure of A²B⁶ compounds In-n⁺(CdS)-n(CdSx Te1-x)-p(Znx Cd1-xTe)-Mois created for wave range λ = 0,49-0,855 јm and for work at room temperatures. Novelty of the de-vice is presence of solid solutions A²B⁶, that allows to expand its spectral sensitivity range. The structure behaves as the photoreceivers with inversion of mark of photocurrent I(λ) if positive potential “+V” is enclosed to Мо- to contact. The inversion structure capable effectively to register without handicapes different waves of the visible spectral range. The structure increases a primary photocurrent at reverse bias, when potential “−V” is applied to Mo- contact. In this case the structure is a basis for creation of injection photoreceiver, which has high spectral photosensitivity in the visible spectral range. 2013 Article Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника / Ш.А. Мирсагатов, О.К. Атабоев, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 122–128. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99816 53.043;53.023;539.234 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
На основе соединений A²B⁶ создана пленочная In-n⁺(CdS)-n(CdSx
Te1-x)-p(Znx
Cd1-xTe)-Mo-структура фоточувствительная в диапазоне длин волн λ = 0,49–0,855 мкм при комнатных
температурах. Новизной в устройстве является наличие твердых растворов соединений
A²B⁶, что позволяет расширить диапазон спектральной чувствительности. При пропускном
направлении тока (когда положительный потенциал “+V” приложен к Мо-контакту) структура
ведет себя как фотоприемник с инверсией знака фототока I(λ) способного без помех эффективно
регистрировать длины волн видимой области спектра. При обратных направлениях фототока
структура работает в режиме внутреннего усиления первичного фототока и представляет собой
основу для создания инжекционного фотоприемника с высокой спектральной фоточувствительностью в видимой области спектра. Выявлены механизмы усиления и инверсии фототока. |
| format |
Article |
| author |
Мирсагатов, Ш.А. Атабоев, О.К. Заверюхин, Б.Н. |
| spellingShingle |
Мирсагатов, Ш.А. Атабоев, О.К. Заверюхин, Б.Н. Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Мирсагатов, Ш.А. Атабоев, О.К. Заверюхин, Б.Н. |
| author_sort |
Мирсагатов, Ш.А. |
| title |
Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника |
| title_short |
Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника |
| title_full |
Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника |
| title_fullStr |
Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника |
| title_full_unstemmed |
Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника |
| title_sort |
спектральные свойства м-n⁺cds-ncdsхte1-х-pznхcd1-хte-mо-структуры для инжекционного фотоприемника |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2013 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99816 |
| citation_txt |
Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника / Ш.А. Мирсагатов, О.К. Атабоев, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 122–128. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT mirsagatovša spektralʹnyesvojstvamncdsncdshte1hpznhcd1htemostrukturydlâinžekcionnogofotopriemnika AT ataboevok spektralʹnyesvojstvamncdsncdshte1hpznhcd1htemostrukturydlâinžekcionnogofotopriemnika AT zaverûhinbn spektralʹnyesvojstvamncdsncdshte1hpznhcd1htemostrukturydlâinžekcionnogofotopriemnika |
| first_indexed |
2023-10-18T20:02:58Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:02:58Z |
| _version_ |
1796148610008612864 |