Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры

• Дата: 2013
• Автори: Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Каримов, А.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
• Назва видання: Физическая инженерия поверхности
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99826
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p+р-n+-структуры / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, А.А. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 199–203. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Проведены исследования зависимости емкости кремниевых p⁺р-n⁺-структур от запирающего напряжения. Экспериментально показано, что в двухсторонне-диффузионных структурах вольтемкостные характеристики подчиняются кубическому закону за счет линейного распределения примесей в базовой области, при этом приращения емкости от запирающего напряжения имеют постоянную величину. В диффузионно-эпитаксиальных структурах наблюдается резкое снижение емкости в интервале напряжений от 0 до 5 вольт, что четко проявляется в зависимости динамической емкости от запирающего напряжения. Наблюдаемые зависимости объясняются равномерной модуляцией базовой области в двухсторонне-диффузионной структуре и сильной модуляцией базы в диффузионно-эпитаксиальной структуре за счет образования p⁺p⁰-n⁺- и p⁺p⁰-i-n⁺ -структур в технологических процессах получения р-n-перехода.