Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки

Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки

Для детекторов короткопробежных частиц созданы пленочные CdTe-детекторные структуры с барьером Шоттки. Структуры изготовлены на основе крупноблочных p-CdTе пленок с удельным сопротивлением ρ ∼ 10⁷ Ом⋅cм. Кристаллиты пленок расположены ортогонально к плоскости Мо-подложки, на которой они сформирова...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Дата:2013
Автори: Мирсагатов, Ш.А., Ачилов, А.С., Заверюхин, Б.Н.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99829
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки / Ш.А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 216–222. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-99829
record_format dspace
spelling irk-123456789-998292016-05-05T03:02:07Z Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки Мирсагатов, Ш.А. Ачилов, А.С. Заверюхин, Б.Н. Для детекторов короткопробежных частиц созданы пленочные CdTe-детекторные структуры с барьером Шоттки. Структуры изготовлены на основе крупноблочных p-CdTе пленок с удельным сопротивлением ρ ∼ 10⁷ Ом⋅cм. Кристаллиты пленок расположены ортогонально к плоскости Мо-подложки, на которой они сформированы. Исследованы вольт-фарадные, вольтамперные и шумовые характеристики структур. Структуры регистрировали α-частицы с энергией 5.482 MэВ от источника Am²⁴¹. Энергетическое разрешение R-структур составляет величину 22 ÷ 29 кэВ при напряжениях смещения V = 5 − 8 В и T = 293 K. При повышении величины V происходит инжекция неосновных носителей в базу структур. Установлено, что источником инжекции электронов в базу является Мо-контакт и соединение MoO₃ вблизи него. Для детекторів короткопробіжних частинок створені плівкові CdTe-детекторні структури з бар’єром Шоттки. Структури виготовлені на основі великоблочних p-CdTе плівок з питомим опором ρ ∼ 10⁷ Ом⋅cм. Кристаліити плівок розташовані ортогонально до площини Мо-підкладинки, на якій вони сформовані. Досліджені вольт-фарадні, вольтамперні та шумові характеристики структур. Структури реєстрували α-частинки з енергією 5.482 MеВ від джерела Am²⁴¹. Енергетичний можливий розподіл R-структур становить величину 22 ÷ 29 кеВ при напругах зсуву V = 5 − 8 В і T = 293 K. При підвищенні величини V відбувається інжекція неосновних носіїв у базу структур. Установлено, що джерелом інжекції електронів у базу є Мо-контакт і з’єднання MoO₃ поблизу нього. At first for registration of nuclear radiation film CdTe-detector structures with Schottky barrier were created. The structures are made on the basis of large block-p-CdTe films with resistivity ρ ∼ 10⁷ Om⋅cm. Crystallites of the films are orthogonal to plane of Mo-substrate on which they are formed. The capacitance-voltage, current-voltage characteristics and an energy resolution of the structures were measured and transport mechanisms of current carriers were defined for different values of bias voltage. The structures registried α-particles with energy 5.482 MeV from source Am²⁴¹. Energy resolution R of the structures was 22 ÷ 29 keV at T = 293 K. It is established that improving of the characteristics of the detector structures associated with removal processes of an electron injection in region of back Mo-contact. It was found that source of the electron injection аt high bias voltages are Mo-contact and oxide MoO₃ between the film and the molybdenum contact. 2013 Article Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки / Ш.А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 216–222. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99829 53.043;53.023.539.234 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Для детекторов короткопробежных частиц созданы пленочные CdTe-детекторные структуры с барьером Шоттки. Структуры изготовлены на основе крупноблочных p-CdTе пленок с удельным сопротивлением ρ ∼ 10⁷ Ом⋅cм. Кристаллиты пленок расположены ортогонально к плоскости Мо-подложки, на которой они сформированы. Исследованы вольт-фарадные, вольтамперные и шумовые характеристики структур. Структуры регистрировали α-частицы с энергией 5.482 MэВ от источника Am²⁴¹. Энергетическое разрешение R-структур составляет величину 22 ÷ 29 кэВ при напряжениях смещения V = 5 − 8 В и T = 293 K. При повышении величины V происходит инжекция неосновных носителей в базу структур. Установлено, что источником инжекции электронов в базу является Мо-контакт и соединение MoO₃ вблизи него.
format Article
author Мирсагатов, Ш.А.
Ачилов, А.С.
Заверюхин, Б.Н.
spellingShingle Мирсагатов, Ш.А.
Ачилов, А.С.
Заверюхин, Б.Н.
Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
Физическая инженерия поверхности
author_facet Мирсагатов, Ш.А.
Ачилов, А.С.
Заверюхин, Б.Н.
author_sort Мирсагатов, Ш.А.
title Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
title_short Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
title_full Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
title_fullStr Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
title_full_unstemmed Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
title_sort тонкопленочные детекторные cdte-структуры с барьером шоттки
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2013
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99829
citation_txt Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки / Ш.А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 216–222. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT mirsagatovša tonkoplenočnyedetektornyecdtestrukturysbarʹeromšottki
AT ačilovas tonkoplenočnyedetektornyecdtestrukturysbarʹeromšottki
AT zaverûhinbn tonkoplenočnyedetektornyecdtestrukturysbarʹeromšottki
first_indexed 2023-10-18T20:03:00Z
last_indexed 2023-10-18T20:03:00Z
_version_ 1796148611391684608

Схожі ресурси