Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
Для детекторов короткопробежных частиц созданы пленочные CdTe-детекторные структуры с барьером Шоттки. Структуры изготовлены на основе крупноблочных p-CdTе пленок с удельным сопротивлением ρ ∼ 10⁷ Ом⋅cм. Кристаллиты пленок расположены ортогонально к плоскости Мо-подложки, на которой они сформирова...
Збережено в:
| Видавець: | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99829 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки / Ш.А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 216–222. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |