Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
Для детекторов короткопробежных частиц созданы пленочные CdTe-детекторные структуры с барьером Шоттки. Структуры изготовлены на основе крупноблочных p-CdTе пленок с удельным сопротивлением ρ ∼ 10⁷ Ом⋅cм. Кристаллиты пленок расположены ортогонально к плоскости Мо-подложки, на которой они сформирова...
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | Мирсагатов, Ш.А., Ачилов, А.С., Заверюхин, Б.Н. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99829 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки / Ш.А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 216–222. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2012) -
Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2014) -
Температурная зависимость обратной ветви ВАХ Al-p-CdTe-Mo структуры
за авторством: Ачилов, А.С., та інші
Опубліковано: (2015) -
Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2013) -
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
за авторством: Баранов, В.В., та інші
Опубліковано: (2007)