Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках
У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої, плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки ширина потенційного б...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99834 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках / Г. Гулямов, A.Г. Гулямов, Г.Н. Мажидова // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 243–245. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-99834 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-998342016-05-05T03:02:12Z Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках Гулямов, Г. Гулямов, A.Г. Мажидова, Г.Н. У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої, плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки ширина потенційного бар’єру може пояснити аномально більші значення коефіцієнта тензочутливості тонких плівок Bi₂Te₃ і Sb₂Te₃, отриманих вакуумним напилюванням. В работе предложена модель тензочувствительной полупроводниковой пленки, согласно которой, пленка рассматривается как система потенциальных барьеров. Рассмотрена тензочувствительность системы потенциальных барьеров. Показано, что модель согласно которой при деформации меняется только ширина потенциального барьера может объяснить аномально большие значения коэффициента тензочувствительности тонких пленок Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃, полученных вакуумным напылением In the work proposed model of the tensosensitive semiconductor film according to which, the film is considered as system of potential barriers. It is considered tensosensitive systems of potential barriers. It is shown that the model according to which at deformation varies only width of a potential barrier can explain is abnormal great values of factor tensosensitive thin film Bi₂Te₃ and Sb₂Te₃, receptions by a vacuum dusting. 2013 Article Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках / Г. Гулямов, A.Г. Гулямов, Г.Н. Мажидова // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 243–245. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99834 539.21: 621.315.592 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої,
плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи
потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки
ширина потенційного бар’єру може пояснити аномально більші значення коефіцієнта тензочутливості тонких плівок Bi₂Te₃ і Sb₂Te₃, отриманих вакуумним напилюванням. |
| format |
Article |
| author |
Гулямов, Г. Гулямов, A.Г. Мажидова, Г.Н. |
| spellingShingle |
Гулямов, Г. Гулямов, A.Г. Мажидова, Г.Н. Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Гулямов, Г. Гулямов, A.Г. Мажидова, Г.Н. |
| author_sort |
Гулямов, Г. |
| title |
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках |
| title_short |
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках |
| title_full |
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках |
| title_fullStr |
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках |
| title_full_unstemmed |
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках |
| title_sort |
тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2013 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99834 |
| citation_txt |
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках / Г. Гулямов, A.Г. Гулямов, Г.Н. Мажидова // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 243–245. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT gulâmovg tenzorezistivnyjéffektvsistemepotencialʹnyhbarʹerovvpoluprovodnikovyhplenkah AT gulâmovag tenzorezistivnyjéffektvsistemepotencialʹnyhbarʹerovvpoluprovodnikovyhplenkah AT mažidovagn tenzorezistivnyjéffektvsistemepotencialʹnyhbarʹerovvpoluprovodnikovyhplenkah |
| first_indexed |
2023-10-18T20:03:01Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:03:01Z |
| _version_ |
1796148611923312640 |