Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках

• Видавець: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
• Дата: 2013
• Автори: Гулямов, Г., Гулямов, A.Г., Мажидова, Г.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
• Назва видання: Физическая инженерия поверхности
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99834
• Цитувати: Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках / Г. Гулямов, A.Г. Гулямов, Г.Н. Мажидова // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 243–245. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої, плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки ширина потенційного б...