Моделювання розподілу носіїв заряду в активній області P-I-N-діодів методами теорії збурень
A mathematical model of the electron-hole plasma stationary distribution in the active region (i-region) of p-i-n-diodes in the diffusion-drift approximation is proposed. The model is represented in the form of a nonlinear singularly perturbed boundary value problem for the system of equations of th...
Збережено в:
| Видавець: | Kamianets-Podilskyi National Ivan Ohiienko University |
|---|---|
| Дата: | 2021 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Kamianets-Podilskyi National Ivan Ohiienko University
2021
|
| Онлайн доступ: | http://mcm-tech.kpnu.edu.ua/article/view/251064 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|