Моделювання розподілу носіїв заряду в активній області P-I-N-діодів методами теорії збурень
A mathematical model of the electron-hole plasma stationary distribution in the active region (i-region) of p-i-n-diodes in the diffusion-drift approximation is proposed. The model is represented in the form of a nonlinear singularly perturbed boundary value problem for the system of equations of th...
Gespeichert in:
| Datum: | 2021 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Бомба, Андрій, Мороз, Ігор |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Kamianets-Podilskyi National Ivan Ohiienko University
2021
|
| Online Zugang: | http://mcm-tech.kpnu.edu.ua/article/view/251064 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Mathematical and computer modelling. Series: Technical sciences |
Institution
Mathematical and computer modelling. Series: Technical sciencesÄhnliche Einträge
-
Підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельних діодів
von: Свірін, П.В.
Veröffentlicht: (2008) -
Параметри пасток для носіїв заряду в ZnSe
von: Degoda, V. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Фотоґенерація носіїв заряду в тонких плівках нанокомпозитів ПЕПК—С₆₀
von: Заболотний, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Мінімальна провідність графену, обумовлена ефективним загасанням носіїв заряду внаслідок ефекту «дрижання» Шредінгера
von: Рувінський, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм
von: Tetyorkin, V., et al.
Veröffentlicht: (2025)