Моделювання розподілу носіїв заряду в активній області P-I-N-діодів методами теорії збурень
A mathematical model of the electron-hole plasma stationary distribution in the active region (i-region) of p-i-n-diodes in the diffusion-drift approximation is proposed. The model is represented in the form of a nonlinear singularly perturbed boundary value problem for the system of equations of th...
Saved in:
| Date: | 2021 |
|---|---|
| Main Authors: | Бомба, Андрій, Мороз, Ігор |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Kamianets-Podilskyi National Ivan Ohiienko University
2021
|
| Online Access: | http://mcm-tech.kpnu.edu.ua/article/view/251064 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Mathematical and computer modelling. Series: Technical sciences |
Institution
Mathematical and computer modelling. Series: Technical sciencesSimilar Items
-
Підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельних діодів
by: Свірін, П.В.
Published: (2008) -
Параметри пасток для носіїв заряду в ZnSe
by: Degoda, V. Ya., et al.
Published: (2019) -
Фотоґенерація носіїв заряду в тонких плівках нанокомпозитів ПЕПК—С₆₀
by: Заболотний, М.А., et al.
Published: (2012) -
Мінімальна провідність графену, обумовлена ефективним загасанням носіїв заряду внаслідок ефекту «дрижання» Шредінгера
by: Рувінський, М.А., et al.
Published: (2015) -
Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм
by: Tetyorkin, V., et al.
Published: (2025)