The temperature dependence of the band GAPSi

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2013
• Hauptverfasser: Guliamov, G., Erkaboev, U.I., Sharibaev, N.Y.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100315
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: The temperature dependence of the band GAPSi / G. Guliamov, U.I. Erkaboev, N.Y. Sharibaev // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 3. — С. 289–292. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

With the help of mathematical modeling of the thermal broadening of the energy levels studied the temperature dependence of the band gap semiconductors. In view of the temperature dependence of the effective mass of the density of states obtained graphs temperature dependence of the band gap. Investigated the effect of changes in the effective mass of charge carriers on the temperature dependence of the band gap semiconductors. The theoretical results of mathematical modeling are compared with experimental data for Si. The theoretical results satisfactorily explain the experimental results for Si. С помощью математического моделирования процесса термического уширения энергетических уровней исследована температурная зависимость ширинызапрещенной зоныполупроводников. С учетом температурной зависимости эффективной массы плотности состояний получены графики температурной зависимости ширины запрещенной зоны. Исследовано влияние изменения эффективной массы носителей зарядов на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниках. Теоретические результаты математического моделирования сравниваются с экспериментальными данными для Si. Результаты теории удовлетворительно объясняют экспериментальные результаты для Si. За допомогою математичного моделювання процесу термічного розширення енергетичних рівнів досліджена температурна залежність ширини забороненої зони напівпровідників. З урахуванням температурної залежності ефективної маси густини станів отримані графіки температурноїзалежності ширини забороненоїзони. Досліджено вплив змінювання ефективної маси носіїв зарядів на температурну залежність ширини забороненоїзони в напівпровідниках. Теоретичні результати математичного моделювання порівнюються з експериментальними даними для Si. Результати теорії задовільно пояснюють експериментальні результати для Si.