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The temperature dependence of the band GAPSi

With the help of mathematical modeling of the thermal broadening of the energy levels studied the temperature dependence of the band gap semiconductors. In view of the temperature dependence of the effective mass of the density of states obtained graphs temperature dependence of th...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физическая инженерия поверхности
Datum:	2013
Hauptverfasser:	Guliamov, G., Erkaboev, U.I., Sharibaev, N.Y.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100315
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	The temperature dependence of the band GAPSi / G. Guliamov, U.I. Erkaboev, N.Y. Sharibaev // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 3. — С. 289–292. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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