Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2014
• Hauptverfasser: Курмашев, Ш.Д., Кулинич, О.А., Брусенская, Г.И., Веремьева, А.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
• Schlagworte: Материалы электроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100467
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев / Ш.Д. Курмашев, О.А. Кулинич, Г.И. Брусенская, А.В. Веремьева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 57-62. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Исследована возможность повышения радиационной устойчивости кремниевых эпитаксиальных слоев за счет создания стоков радиационных дефектов в виде дислокационных сеток плотностью 10⁹—10¹² м⁻². Досліджено можливість підвищення радіаційної стійкості кремнієвих епітаксійних шарів за рахунок створення сто...