Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
Исследована возможность повышения радиационной устойчивости кремниевых эпитаксиальных слоев за счет создания стоков радиационных дефектов в виде дислокационных сеток плотностью 10⁹—10¹² м⁻². Досліджено можливість підвищення радіаційної стійкості кремнієвих епітаксійних шарів за рахунок створення сто...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100467 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев / Ш.Д. Курмашев, О.А. Кулинич, Г.И. Брусенская, А.В. Веремьева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 57-62. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862752042251976704 |
|---|---|
| author | Курмашев, Ш.Д. Кулинич, О.А. Брусенская, Г.И. Веремьева, А.В. |
| author_facet | Курмашев, Ш.Д. Кулинич, О.А. Брусенская, Г.И. Веремьева, А.В. |
| citation_txt | Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев / Ш.Д. Курмашев, О.А. Кулинич, Г.И. Брусенская, А.В. Веремьева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 57-62. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследована возможность повышения радиационной устойчивости кремниевых эпитаксиальных слоев за счет создания стоков радиационных дефектов в виде дислокационных сеток плотностью 10⁹—10¹² м⁻².
Досліджено можливість підвищення радіаційної стійкості кремнієвих епітаксійних шарів за рахунок створення стоків радіаційних дефектів у вигляді дислокаційних сіток щільністю 10⁹—10¹² м⁻².
The authors investigate the possibility of increasing the radiation resistance of silicon epitaxial layers by creating radiation defects sinks in the form of dislocation networks of the density of 10⁹—10¹² m⁻².
|
| first_indexed | 2025-12-07T21:14:33Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-100467 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T21:14:33Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Курмашев, Ш.Д. Кулинич, О.А. Брусенская, Г.И. Веремьева, А.В. 2016-05-22T11:54:31Z 2016-05-22T11:54:31Z 2014 Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев / Ш.Д. Курмашев, О.А. Кулинич, Г.И. Брусенская, А.В. Веремьева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 57-62. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2014.2.57 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100467 81.411 Исследована возможность повышения радиационной устойчивости кремниевых эпитаксиальных слоев за счет создания стоков радиационных дефектов в виде дислокационных сеток плотностью 10⁹—10¹² м⁻². Досліджено можливість підвищення радіаційної стійкості кремнієвих епітаксійних шарів за рахунок створення стоків радіаційних дефектів у вигляді дислокаційних сіток щільністю 10⁹—10¹² м⁻². The authors investigate the possibility of increasing the radiation resistance of silicon epitaxial layers by creating radiation defects sinks in the form of dislocation networks of the density of 10⁹—10¹² m⁻². ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев Підвищення радіаційної стійкості кремнієвих монокристалічних епітаксійних шарів Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers Article published earlier |
| spellingShingle | Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев Курмашев, Ш.Д. Кулинич, О.А. Брусенская, Г.И. Веремьева, А.В. Материалы электроники |
| title | Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев |
| title_alt | Підвищення радіаційної стійкості кремнієвих монокристалічних епітаксійних шарів Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers |
| title_full | Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев |
| title_fullStr | Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев |
| title_full_unstemmed | Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев |
| title_short | Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев |
| title_sort | повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100467 |
| work_keys_str_mv | AT kurmaševšd povyšenieradiacionnoiustoičivostikremnievyhmonokristalličeskihépitaksialʹnyhsloev AT kuliničoa povyšenieradiacionnoiustoičivostikremnievyhmonokristalličeskihépitaksialʹnyhsloev AT brusenskaâgi povyšenieradiacionnoiustoičivostikremnievyhmonokristalličeskihépitaksialʹnyhsloev AT veremʹevaav povyšenieradiacionnoiustoičivostikremnievyhmonokristalličeskihépitaksialʹnyhsloev AT kurmaševšd pídviŝennâradíacíinoístíikostíkremníêvihmonokristalíčnihepítaksíinihšarív AT kuliničoa pídviŝennâradíacíinoístíikostíkremníêvihmonokristalíčnihepítaksíinihšarív AT brusenskaâgi pídviŝennâradíacíinoístíikostíkremníêvihmonokristalíčnihepítaksíinihšarív AT veremʹevaav pídviŝennâradíacíinoístíikostíkremníêvihmonokristalíčnihepítaksíinihšarív AT kurmaševšd increasingtheradiationresistanceofsinglecrystalsiliconepitaxiallayers AT kuliničoa increasingtheradiationresistanceofsinglecrystalsiliconepitaxiallayers AT brusenskaâgi increasingtheradiationresistanceofsinglecrystalsiliconepitaxiallayers AT veremʹevaav increasingtheradiationresistanceofsinglecrystalsiliconepitaxiallayers |