Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
Исследована возможность повышения радиационной устойчивости кремниевых эпитаксиальных слоев за счет создания стоков радиационных дефектов в виде дислокационных сеток плотностью 10⁹—10¹² м⁻². Досліджено можливість підвищення радіаційної стійкості кремнієвих епітаксійних шарів за рахунок створення сто...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100467 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев / Ш.Д. Курмашев, О.А. Кулинич, Г.И. Брусенская, А.В. Веремьева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 57-62. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-100467 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Курмашев, Ш.Д. Кулинич, О.А. Брусенская, Г.И. Веремьева, А.В. 2016-05-22T11:54:31Z 2016-05-22T11:54:31Z 2014 Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев / Ш.Д. Курмашев, О.А. Кулинич, Г.И. Брусенская, А.В. Веремьева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 57-62. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2014.2.57 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100467 81.411 Исследована возможность повышения радиационной устойчивости кремниевых эпитаксиальных слоев за счет создания стоков радиационных дефектов в виде дислокационных сеток плотностью 10⁹—10¹² м⁻². Досліджено можливість підвищення радіаційної стійкості кремнієвих епітаксійних шарів за рахунок створення стоків радіаційних дефектів у вигляді дислокаційних сіток щільністю 10⁹—10¹² м⁻². The authors investigate the possibility of increasing the radiation resistance of silicon epitaxial layers by creating radiation defects sinks in the form of dislocation networks of the density of 10⁹—10¹² m⁻². ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев Підвищення радіаційної стійкості кремнієвих монокристалічних епітаксійних шарів Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев |
| spellingShingle |
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев Курмашев, Ш.Д. Кулинич, О.А. Брусенская, Г.И. Веремьева, А.В. Материалы электроники |
| title_short |
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев |
| title_full |
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев |
| title_fullStr |
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев |
| title_full_unstemmed |
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев |
| title_sort |
повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев |
| author |
Курмашев, Ш.Д. Кулинич, О.А. Брусенская, Г.И. Веремьева, А.В. |
| author_facet |
Курмашев, Ш.Д. Кулинич, О.А. Брусенская, Г.И. Веремьева, А.В. |
| topic |
Материалы электроники |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| publishDate |
2014 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Підвищення радіаційної стійкості кремнієвих монокристалічних епітаксійних шарів Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers |
| description |
Исследована возможность повышения радиационной устойчивости кремниевых эпитаксиальных слоев за счет создания стоков радиационных дефектов в виде дислокационных сеток плотностью 10⁹—10¹² м⁻².
Досліджено можливість підвищення радіаційної стійкості кремнієвих епітаксійних шарів за рахунок створення стоків радіаційних дефектів у вигляді дислокаційних сіток щільністю 10⁹—10¹² м⁻².
The authors investigate the possibility of increasing the radiation resistance of silicon epitaxial layers by creating radiation defects sinks in the form of dislocation networks of the density of 10⁹—10¹² m⁻².
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100467 |
| citation_txt |
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев / Ш.Д. Курмашев, О.А. Кулинич, Г.И. Брусенская, А.В. Веремьева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 57-62. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT kurmaševšd povyšenieradiacionnoiustoičivostikremnievyhmonokristalličeskihépitaksialʹnyhsloev AT kuliničoa povyšenieradiacionnoiustoičivostikremnievyhmonokristalličeskihépitaksialʹnyhsloev AT brusenskaâgi povyšenieradiacionnoiustoičivostikremnievyhmonokristalličeskihépitaksialʹnyhsloev AT veremʹevaav povyšenieradiacionnoiustoičivostikremnievyhmonokristalličeskihépitaksialʹnyhsloev AT kurmaševšd pídviŝennâradíacíinoístíikostíkremníêvihmonokristalíčnihepítaksíinihšarív AT kuliničoa pídviŝennâradíacíinoístíikostíkremníêvihmonokristalíčnihepítaksíinihšarív AT brusenskaâgi pídviŝennâradíacíinoístíikostíkremníêvihmonokristalíčnihepítaksíinihšarív AT veremʹevaav pídviŝennâradíacíinoístíikostíkremníêvihmonokristalíčnihepítaksíinihšarív AT kurmaševšd increasingtheradiationresistanceofsinglecrystalsiliconepitaxiallayers AT kuliničoa increasingtheradiationresistanceofsinglecrystalsiliconepitaxiallayers AT brusenskaâgi increasingtheradiationresistanceofsinglecrystalsiliconepitaxiallayers AT veremʹevaav increasingtheradiationresistanceofsinglecrystalsiliconepitaxiallayers |
| first_indexed |
2025-12-07T21:14:33Z |
| last_indexed |
2025-12-07T21:14:33Z |
| _version_ |
1850885615231434752 |