Зображення обкладинки

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев

Исследована возможность повышения радиационной устойчивости кремниевых эпитаксиальных слоев за счет создания стоков радиационных дефектов в виде дислокационных сеток плотностью 10⁹—10¹² м⁻². Досліджено можливість підвищення радіаційної стійкості кремнієвих епітаксійних шарів за рахунок створення сто...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2014
Автори:	Курмашев, Ш.Д., Кулинич, О.А., Брусенская, Г.И., Веремьева, А.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Теми:	Материалы электроники
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100467
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев / Ш.Д. Курмашев, О.А. Кулинич, Г.И. Брусенская, А.В. Веремьева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 57-62. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование воспроизводимости электрофизических параметров толстопленочных структур "RuO₂-стекло"
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2005)

Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
за авторством: Кулинич, О.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2013)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2010)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля
за авторством: Ховерко, Ю.Н.
Опубліковано: (2010)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
за авторством: Кулинич, О.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Смынтына, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения
за авторством: Алиева, А.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь>
за авторством: Алиева, А.П., та інші
Опубліковано: (2011)

Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур
за авторством: Новосядлый, С.П.
Опубліковано: (1998)

Межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла Bi₂Te₃, легированного цинком и селеном
за авторством: Алиева, А.П., та інші
Опубліковано: (2011)

Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si
за авторством: Искендер-заде, З.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃
за авторством: Алиева, А.П., та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем
за авторством: Гладковский, В.В., та інші
Опубліковано: (2017)

Диэлектрическая релаксация Коул-Коула
за авторством: Новиков, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Диэлектрическая релаксация Гавриляки-Негами
за авторством: Новиков, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
за авторством: Балицкий, А.А.
Опубліковано: (2005)

Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2001)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Изменение свойств пленок кремнийорганических стекол после термической и плазмохимической обработок
за авторством: Иванчиков, А.Э., та інші
Опубліковано: (2009)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок
за авторством: Стерхова, А.В.
Опубліковано: (2002)

Обзор мирового рынка арсенида галлия
за авторством: Наумов, А.В.
Опубліковано: (2005)

Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2001)

Изучение адсорбционных состояний в керамике ZnO—Ag методом ТВЭ-кривых
за авторством: Ляшков, А.Ю.
Опубліковано: (2013)

Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок
за авторством: Стерхова, А.В., та інші
Опубліковано: (2001)

Система паст "Аналог-4" расширяет возможности толстопленочной технологии
за авторством: Пучкова, Н.С., та інші
Опубліковано: (2000)

Строение и высокотемпературная сверхпроводимость пленок Bi₂Sr₂CaCu₂Oy
за авторством: Самойлович, М.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Свойства и практическое применение нанокристаллических пленок оксида церия
за авторством: Максимчук, Н.В., та інші
Опубліковано: (2010)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаєва, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Пассивация поверхности высокочистых гранулированных металлов: цинка, кадмия, свинца
за авторством: Пироженко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2017)