Buchumschlag

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев

Исследована возможность повышения радиационной устойчивости кремниевых эпитаксиальных слоев за счет создания стоков радиационных дефектов в виде дислокационных сеток плотностью 10⁹—10¹² м⁻². Досліджено можливість підвищення радіаційної стійкості кремнієвих епітаксійних шарів за рахунок створення сто...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2014
Hauptverfasser:	Курмашев, Ш.Д., Кулинич, О.А., Брусенская, Г.И., Веремьева, А.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Schlagworte:	Материалы электроники
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100467
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев / Ш.Д. Курмашев, О.А. Кулинич, Г.И. Брусенская, А.В. Веремьева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 57-62. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Исследование воспроизводимости электрофизических параметров толстопленочных структур "RuO₂-стекло"
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
von: Кулинич, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Дранчук, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля
von: Ховерко, Ю.Н.
Veröffentlicht: (2010)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Кулинич, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Смынтына, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения
von: Алиева, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь>
von: Алиева, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла Bi₂Te₃, легированного цинком и селеном
von: Алиева, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур
von: Новосядлый, С.П.
Veröffentlicht: (1998)

Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si
von: Искендер-заде, З.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃
von: Алиева, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Диэлектрическая релаксация Коул-Коула
von: Новиков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Диэлектрическая релаксация Гавриляки-Негами
von: Новиков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
von: Балицкий, А.А.
Veröffentlicht: (2005)

Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Изменение свойств пленок кремнийорганических стекол после термической и плазмохимической обработок
von: Иванчиков, А.Э., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок
von: Стерхова, А.В.
Veröffentlicht: (2002)

Обзор мирового рынка арсенида галлия
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2005)

Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2001)

Изучение адсорбционных состояний в керамике ZnO—Ag методом ТВЭ-кривых
von: Ляшков, А.Ю.
Veröffentlicht: (2013)

Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок
von: Стерхова, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Система паст "Аналог-4" расширяет возможности толстопленочной технологии
von: Пучкова, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Строение и высокотемпературная сверхпроводимость пленок Bi₂Sr₂CaCu₂Oy
von: Самойлович, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Свойства и практическое применение нанокристаллических пленок оксида церия
von: Максимчук, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
von: Трубаєва, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Пассивация поверхности высокочистых гранулированных металлов: цинка, кадмия, свинца
von: Пироженко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)