Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
Исследовано влияние гидростатического давления (до 5000 бар) на сопротивление нитевидных кристаллов антимонида галлия n-типа, легированных селеном или теллуром. Определена величина коэффициента гидростатического давления для этих кристаллов: КГ = (16,5—20,0)•10⁻⁵ бар⁻¹ при 20°С. Исследовано влияние...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100543 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, Н.С. Лях-Кагуй // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 4. — С. 19-23. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |